[发明专利]影像感测装置有效
申请号: | 201611128163.3 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN108110018B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 姚裕源 | 申请(专利权)人: | 晶相光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 装置 | ||
1.一种影像感测装置,其特征在于,包括:
一基板;
一第一光电转换单元,设置于该基板中;
一第二光电转换单元,设置于该基板中;
一第三光电转换单元,设置于该基板中,其中该第二光电转换单元位于该第一光电转换单元与该第三光电转换单元之间;
多个绝缘结构,设置于该基板中,位于所述光电转换单元之间;
一第一掺杂区,形成于该基板中,位于所述多个绝缘结构下方,并延伸于该第三光电转换单元正下方,且该第一掺杂区不位于该第一光电转换单元及该第二光电转换单元正下方;以及
一第二掺杂区,形成于该基板中,位于部分的该第一掺杂区下方,并延伸于该第二光电转换单元下方。
2.根据权利要求1所述的影像感测装置,其特征在于,该第一光电转换单元吸收一第一光波长,该第二光电转换单元吸收一第二光波长,该第三光电转换单元吸收一第三光波长,其中该第一光波长大于该第二光波长,该第二光波长大于该第三光波长。
3.根据权利要求1所述的影像感测装置,其特征在于,该第一光电转换单元为一红光二极管,该第二光电转换单元为一绿光二极管,该第三光电转换单元为一蓝光二极管。
4.根据权利要求1所述的影像感测装置,其特征在于,所述绝缘结构包括浅沟槽隔离物。
5.根据权利要求1所述的影像感测装置,其特征在于,该第二掺杂区更延伸于该第三光电转换单元下方。
6.根据权利要求5所述的影像感测装置,其特征在于,还包括一第三掺杂区,形成于该基板中,位于该第二掺杂区下方,并延伸于该第一光电转换单元下方。
7.根据权利要求6所述的影像感测装置,其特征在于,该第一掺杂区与该第二掺杂区具有相同的掺杂型态。
8.根据权利要求7所述的影像感测装置,其特征在于,该第三掺杂区具有与该第一掺杂区及该第二掺杂区不同的掺杂型态。
9.根据权利要求1所述的影像感测装置,其特征在于,还包括一第三掺杂区,形成于该基板中,位于该第二掺杂区下方,并延伸于该第三光电转换单元下方。
10.根据权利要求9所述的影像感测装置,其特征在于,还包括一第四掺杂区,形成于该基板中,位于该第三掺杂区下方,并延伸于该第一光电转换单元下方。
11.根据权利要求10所述的影像感测装置,其特征在于,该第一掺杂区与该第二掺杂区具有相同的掺杂型态。
12.根据权利要求11所述的影像感测装置,其特征在于,该第三掺杂区与该第四掺杂区具有与该第一掺杂区及该第二掺杂区不同的掺杂型态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的