[发明专利]一种三碲化四铋纳米柱阵列膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201611122059.3 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106744724B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 简基康;吴晶;雷仁博;刘骄;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲化 制备 纳米柱阵列 纳米材料 形貌 高真空热蒸发 首次使用 真空蒸镀 阵列取向 纳米膜 蒸发源 碲化铋 镀膜 基底 微观 参考 宏观 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种三碲化四铋纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
以碲化铋粉末为蒸发源，经过真空蒸镀后，在基底上得到三碲化四铋纳米材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述蒸发源与基底的距离为5～10cm。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基底的温度为200～350℃；
所述蒸发源的温度为450～550℃。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述真空蒸镀的压力小于等于1.2×10-4Pa；
所述真空蒸镀的时间为10～60分钟。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底的材质包括石英玻璃、硅片和氟晶云母中的一种或多种；
所述真空蒸镀的设备为多源高真空热蒸发镀膜机。
6.一种三碲化四铋纳米材料，其特征在于，所述三碲化四铋纳米材料具有纳米柱阵列的形貌。
7.根据权利要求6所述的三碲化四铋纳米材料，其特征在于，所述三碲化四铋纳米材料为三碲化四铋纳米膜。
8.根据权利要求6所述的三碲化四铋纳米材料，其特征在于，所述纳米柱的径向尺寸为50～200nm；
所述纳米柱的高度小于等于2μm。
9.根据权利要求6所述的三碲化四铋纳米材料，其特征在于，所述纳米柱为多边形纳米柱。
10.根据权利要求9所述的三碲化四铋纳米材料，其特征在于，所述多边形的边数为3～6。
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