[发明专利]一种盐碱地中种植中药材的方法在审
申请号: | 201611121339.2 | 申请日: | 2016-12-08 |
公开(公告)号: | CN106717883A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 应剑军 | 申请(专利权)人: | 应剑军 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C1/06;A01B79/02;C05G3/00;C05G3/04 |
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地址: | 323000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 盐碱地 种植 中药材 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种种植方法,具体涉及一种盐碱地中种植中药材的方法。属于中药材种植技术领域。
背景技术
盐碱地是指土壤里面所含的盐分影响到作物的正常生长,根据不完全统计,全世界的盐碱地面积为9.5438亿公顷,其中我国为9913万公顷,在严重的盐碱地中植物几乎不能生存,这无疑造成了土地浪费。目前,国内外对盐碱地的处理方法一般包括排盐法和压盐法等,但它们都存在不足之处,也不能保持长久,而且需要大量水源。
由于许多中药材品种是耐盐碱和抗盐碱的,盐碱地中发展中药材种植是盐碱地有效利用的一条重要思路。但是,盐碱地中种植中药材仍旧有很多问题,盐碱地的特殊环境往往会对中药材的播种、出苗和管理过程产生一定困难。
发明内容
本发明的目的是为克服上述现有技术的不足,提供一种盐碱地中种植中药材的方法。
为实现上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种盐碱地中种植中药材的方法,包括以下步骤:
(1)种子处理:将预处理的中药材种子和处理剂于混料机中混合均匀,中药材种子与处理剂的质量比为1:1~2,处理剂是由以下重量份的组分制成的:过磷酸钙1份,脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵2~3份,腐殖酸2~3份,顺丁烯二酸3~4份,氨基酸粉4~5份,柠檬酸4~5份;
(2)土地翻整:施有机肥,深耕深翻,机械或人工起垄,在垄上开一行播种沟,沟底部中心距离垄边缘10~15cm,沟底部与垄底部的距离为20~30cm;
(3)播种:将步骤(1)处理后的中药材种子撒播或者穴播于步骤(2)的播种沟内,播种后盖土1~2cm,盖土时不要破坏播种沟的边缘。
优选的,步骤(1)中的中药材为板蓝根、黄芩、黄芪、党参、薏苡、荆芥、黄柏或玉竹中的任一种。
优选的,步骤(1)中的预处理方法是:将中药材种子先行漂洗,除去瘪种,放在35~37℃温水中浸泡12~24小时,然后在磁场强度3000~3500GS范围内处理5~6分钟。
优选的,步骤(1)中处理剂的制备方法是:将脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵以沸石粉吸附,然后将其与配方量的过磷酸钙、腐殖酸、顺丁烯二酸、氨基酸粉和柠檬酸混合均匀,最后一并加入粉碎机中粉碎至80~100目,即得。
进一步优选的,脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵与沸石粉的质量比为1:400。
优选的,步骤(2)中,垄的底宽为40cm,顶部宽为20cm。
优选的,步骤(3)中盖土完成后,在垄上覆盖黑色地膜。
本发明的有益效果:
本发明先将中药材种子与处理剂混合均匀,使得中药材种子表面均匀包覆一层处理剂,本发明的处理剂有利于盐碱地成分改良,保证播种以后中药材种子周边的微环境土壤条件有明显改善。土地翻整时,深耕深翻,盐分在土壤中的分布情况为地表层多,下层少,经过耕翻,可把表层土壤中盐分翻扣到耕层下边,把下层含盐较少的土壤翻到表面。翻耕能疏松耕作层,切断土壤毛细管,减弱土壤水分蒸发,有效地控制土壤返盐。本发明采用起垄种植,解决了中药材怕涝的问题,多雨季节可以及时排涝,干旱季节也可以在垄间浇灌,另外,垄上开播种沟,盐碱地中的盐和碱随着水分蒸发到达播种沟的顶部,有效保护了播种沟内的种子。本发明还在垄上覆盖黑色地膜,有效控制了杂草生长。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行进一步的阐述,应该说明的是,下述说明仅是为了解释本发明,并不对其内容进行限定。
以下以含盐量为0.1~0.2g/kg,pH为7.2~7.5的盐碱地作为试验土壤。
实施例1:
以板蓝根薏苡为例,一种盐碱地中种植中药材的方法,包括以下步骤:
(1)种子处理:将预处理的中药材种子和处理剂于混料机中混合均匀,中药材种子与处理剂的质量比为1:1,处理剂是由以下重量份的组分制成的:过磷酸钙1份,脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵2份,腐殖酸2份,顺丁烯二酸3份,氨基酸粉4份,柠檬酸4份;
(2)土地翻整:施有机肥,深耕深翻,机械或人工起垄,在垄上开一行播种沟,沟底部中心距离垄边缘10cm,沟底部与垄底部的距离为20cm;
(3)播种:将步骤(1)处理后的中药材种子撒播或者穴播于步骤(2)的播种沟内,播种后盖土1cm,盖土时不要破坏播种沟的边缘,最后,在垄上覆盖黑色地膜。
其中,步骤(1)中的预处理方法是:将中药材种子先行漂洗,除去瘪种,放在35℃温水中浸泡12小时,然后在磁场强度3000GS范围内处理5分钟。
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