[发明专利]一种新型硅晶太阳能电池在审
申请号: | 201611117403.X | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN108172635A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 陆正谕;陈辉;蓝天荣 | 申请(专利权)人: | 广西大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;陈欢 |
地址: | 530004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背银电极 钝化介质膜 太阳能电池 硅晶 背电极结构 背铝电极 背面钝化 晶体硅太阳电池 太阳能技术领域 常规工业 电学性能 短路电流 开路电压 镂空区域 不重叠 点接触 硅基片 膜区域 线接触 制备 匹配 电池 | ||
1.一种新型硅晶太阳能电池,其特征在于:包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜,置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极,所述背银电极内部设有镂空区域,所述背铝电极与背银电极形成互补,所述背银电极与钝化介质膜的开膜区域不重叠,适用于背面钝化点接触或线接触晶体硅太阳电池。
2.根据权利要求1所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述背银电极具有一个或多个重复排列镂空区域,其镂空区域的形状为圆形或多边形或上述形状的组合。
3.根据权利要求1或2所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述背银电极的数量为2至5条,所述背银电极的宽度范围为1至5毫米,长度范围为120至156毫米。
4.根据权利要求3所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述钝化介质膜的开膜区域为对应于背银电极镂空区域底部的线性开膜区域,所述背银电极与所述钝化介质膜的线性开膜区域的图案方向垂直。
5.根据权利要求4所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述背银电极镂空图案为长方形,所述镂空图案宽度范围为0.1毫米至1毫米,长度为0.5至5毫米。
6.根据权利要求3所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述钝化介质膜的开膜区域为对应于背银电极镂空区域底部的线性开膜区域,所述背银电极与所述钝化介质膜的线性开膜区域图案方向平行。
7.根据权利要求6所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述背银电极镂空图案为长方形,所述镂空图案宽度范围为0.1毫米至1毫米,长度为120至156毫米。
8.根据权利要求1所述的新型硅晶太阳能电池,其特征在于:所述钝化介质膜的开膜区域为对应于背银电极镂空区域底部的点接触开膜区域,所述背银电极镂空图案为圆形、多边形或上述形状的组合。
9.根据权利要求1所述的新型硅晶太阳能电池的所用网版,其特征在于:包括网版本体,所述网版本体上设置有用于构成图形所形成所述背银电极与背铝电极的使浆料通过的网孔的图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的