[发明专利]一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法

说明书

技术领域

本发明涉及地球物理勘探技术领域，尤其涉及的是一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法。

背景技术

在深部岩浆向上侵入地层过程中，岩浆首先进入围岩裂隙中排挤围岩，同时伴随的岩浆热液不断侵蚀的围作用岩，部分围岩被迫从地层中分离出来，并被岩浆包裹，形成围岩捕虏体。当中酸性岩浆岩侵入碳酸盐岩类地层时，往往会发生矽卡岩化、大理岩化和成矿作用，在围岩接触带及附近形成矽卡岩型矿床。

在厚覆盖区找矿，地表被新生界等松散沉积物覆盖，地面地质调查方法无法开展，物探方法中，各种方法有其天然的弱势，如常规电法、电磁法由于覆盖层的低阻屏蔽作用，无法获得矿体或矿化的有效信息。单一的物探方法对于厚覆盖区矽卡岩型矿产的勘探难以奏效。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法。

本发明是通过以下技术方案实现的：一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于步骤如下：

步骤一、分析成矿地质条件编制勘查区成矿建造构造图；

步骤二、根据成矿建造构造图，确定找矿靶区；

找矿靶区选择条件包括：①处于岩体与碳酸盐岩地层内外接触带；

②岩体为燕山期中酸性闪长岩、中酸性闪长玢岩、石英二长闪长岩、石英二长闪长玢岩、花岗闪长岩、花岗闪长斑岩和二长花岗岩中的一种或多种；

③地层为古生界寒武系中上统富镁碳酸盐岩或奥陶系下统钙镁碳酸岩地层；

④大地构造位置为华北地台；

步骤三、在找矿靶区进行重力、磁法扫面数据采集，进行数据处理解释，对异常进行剖析，确定成矿位置；

步骤四、在成矿位置钻探验证矿藏。

作为对上述方案的进一步改进，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在强磁异常区域开展CSAMT法剖面测量，判断CSAMT视电阻率断面图上为变形水平层状或蘑菇状异常的区域为成矿区域，所述强磁异常区域的强度≥1000nT，异常梯度≥400nT/百米，所述蘑菇状异常的剖面图异常形态为蘑菇状，蘑菇状异常伞盖直径500-1500米，伞盖顶部到蘑菇根部深度500-1000米，蘑菇状异常顶部埋深100-300米，蘑菇根部部位电阻率与围岩电阻率差值为500-1000欧姆·米，所述变形水平层状异常的视电阻率在水平方向上缓慢变化引起视电阻率曲线缓凸起或凹陷，且视电阻率梯级带变化小于2000欧姆·米/Km。

作为对上述方案的进一步改进，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在弱磁异常区域开展CSAMT法和CR法剖面测量，判断CSAMT视电阻率为水平层状，且CR法充电率异常区域为成矿区域，所述弱磁异常区域强度为0-500nT，异常梯度＜200nT/百米，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

作为对上述方案的进一步改进，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在负磁异常区域开展CSAMT法和CR法剖面测量，判断CSAMT视电阻率为蘑菇状异常，且存在CR法充电率异常的区域为成矿区域，所述负磁异常区域的强度小于0nT。

作为对上述方案的进一步改进，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在鼻状构造的重力高异常区域，开展CSAMT法和CR法剖面测量，判断CSAMT视电阻率为蘑菇状异常，且存在CR法充电率异常的区域为成矿区域，所述鼻状构造的重力高异常区域的布格重力异常图上场值高于周围，鼻翼部位宽1000-3000米，鼻翼中心到鼻根部位长度500-2000米，所述蘑菇状异常的剖面图异常形态为蘑菇状，蘑菇状异常伞盖直径500-1500米，伞盖顶部到蘑菇根部深度500-1000米，蘑菇状异常顶部埋深100-300米，蘑菇根部部位电阻率与围岩电阻率差值为500-1000欧姆·米，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

作为对上述方案的进一步改进，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在重力梯级带异常区域开展开展1/1万或1/2.5万磁法测量，在出现磁异常的区域，开展CR法剖面测量，判断出现充电率异常的区域为成矿区域，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

作为对上述方案的进一步改进，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在重力梯级带异常区域开展开展1/1万或1/2.5万磁法测量，在无磁异常但存在0.1-1.5×10-5m/s2的剩余重力异常的区域，开展CR法剖面测量，判断出现充电率异常区域为成矿区域，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。