[发明专利]无电镀铜镀液及增加铜镀层硬度的无电镀铜方法有效

专利信息
申请号: 201611108797.2 申请日: 2016-12-06
公开(公告)号: CN106917077B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 魏明国;林彦瑾;林春茹 申请(专利权)人: 钧泽科技有限公司
主分类号: C23C18/40 分类号: C23C18/40
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军;史瞳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 增硬剂 无电镀铜 整平剂 铜离子 镀液 镀层硬度 错合剂 还原剂 季铵盐 铜镀层 铜晶粒 硒离子 碲离子 铊离子 溶剂 镀层 亚胺 自聚 咪唑
【说明书】:

一种无电镀铜镀液,包含溶剂、铜离子、错合剂、还原剂、整平剂,及增硬剂,该整平剂选自聚亚胺、咪唑系季铵盐材料,或上述的组合,该增硬剂选自铊离子、碲离子、硒离子,或上述任意的组合。通过添加该增硬剂,提高镀层硬度,并再选用特定的整平剂,迫使铜离子有较为一致的排列,让所添加的增硬剂均匀地分布于铜晶粒的周围,让镀层的硬度更为提升。

技术领域

发明涉及一种铜镀液及镀铜方法,特别是涉及一种无电镀铜镀液及无电镀铜方法。

背景技术

无电镀(electroless plating),又称化学镀(chemical plating)或自催化电镀(auto-catalytic plating),其是在高分子的物体表面,以化学氧化还原的方式,形成一层厚度约在0.2至2微米的连续金属层,使非导体的物体表面能被导通,以利后续电镀的作业。此种镀铜方式,具有镀层均匀、镀层孔率低、操作简单、可镀在非导体上…等优点,常在塑料上进行,又或者用于印刷电路板(PCB)的穿孔镀层,以及MID(Molded InterconnectDevice)制程。

所谓的MID制程,是通过雷射雕刻技术在非导电基材上雕刻出3D立体线路,然后,再以无电镀铜的方式,在前述所雕刻出的内凹线路中直接镀出超过8微米厚的铜镀层(通常为12微米),接着再披覆上一层薄的金层、银层或铜保护剂,以防止铜镀层氧化。MID制程已广泛用于智能型手机、iPad或传输元件中的天线制造,主要能提供足够的电通量以利讯号的传输。然而,手机讯号的传输由原先的2G、3G,演进至现今的4G,天线在精准度上的要求越来越严苛,而在作业时,铜镀层难免会遭受碰撞而产生刻痕,又或者再进行组装时,因硬度不足,使得与其他元件相接触时镀层表面产生缺陷。然而,现今多采用高频讯号,其是行走在导电体的表面,当表面产生刻痕或者其他缺陷,将对天线的表现有不利的影响。

无电镀是采用化学氧化还原的方式成长金属层,因此金属原子间的堆叠较不紧密,且没有特定的排列方向,导致硬度较低,有改进的需要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种无电镀铜镀液,其能使无电镀铜层具有较高的硬度。

本发明无电镀铜镀液,包含溶剂、铜离子、错合剂、还原剂、整平剂,及增硬剂。该整平剂选自聚亚胺、咪唑系季铵盐材料,或上述的组合,该增硬剂选自铊离子、碲离子、硒离子,或上述任意的组合。

该铜离子是源自水溶性铜盐。前述水溶性铜盐选自硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、甲基磺酸铜,或上述任意的组合。

本发明所采用的增硬剂属离子型,在镀液中以离子的形式存在,并能形成负电集团而与铜共析出。较佳地,该铊离子是源自甲酸铊(Thallium formate),该碲离子是源自二氧化碲(Tellurium dioxide),该硒离子是源自硒氰酸钾(Potassium selenocyanate)。

为使镀层具有更佳的硬度且维持镀层的性质,较佳地,该增硬剂的浓度为0.001至0.1g/L(即:1至100ppm)。更佳地,该增硬剂的浓度为0.002至0.05g/L(即:2至50ppm)。

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