[发明专利]一种层叠形二氧化钛/硒化镉/金复合薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611004606.8 申请日: 2016-11-15
公开(公告)号: CN106367796B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 薛晋波;申倩倩;张苪境;周健兴;赵浩成;张爱琴;贾虎生 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C25D9/04;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C23C28/00
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 代理人: 江淑兰
地址: 030024 山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 层叠 氧化 硒化镉 复合 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种层叠形二氧化钛/硒化镉/金复合薄膜的制备方法,属无机功能材料制备及应用的技术领域。

背景技术

太阳能作为一种可再生清洁能源,是解决能源短缺和环境污染的首选能源,利用转换材料太阳能可被转换成电能和化学能;二氧化钛化学性能稳定、资源丰富、无毒,被广泛应用于太阳能电池、光催化等领域;由于二氧化钛的禁带宽度较宽Eg=3.2eV,只能吸收太阳光5%的紫外光部分,因而限制了二氧化钛在可见光方面的实际应用;二氧化钛中光生电子和空穴的快速复合还会导致光催化效率降低;为了提高二氧化钛对可见光的吸收,拓宽光谱响应范围,需要对二氧化钛做改性,一是拓宽光谱吸收范围,二是抑制光生电子和空穴的复合,利用窄带半导体敏化二氧化钛可以满足这两方面的需求;半导体复合后,光吸收谱被拓宽,提高了半导体对可见光的光响应;又由于硒化镉的导带位置比二氧化钛的导带更负,从而提高了电子与空穴的传输效率,有利于电子与空穴的分离;基于这个原因,用硒化镉与二氧化钛耦合,利用电化学方法在二氧化钛纳米管上沉积硒化镉纳米颗粒,制备得到二氧化钛/硒化镉异质结薄膜;由于界面接触的导电性较差,光生电子和空穴的迁移率较慢,导致异质结薄膜的光催化效率较低;贵金属金与半导体接触面会形成具有整流作用的肖特基结,会推动空间中的电荷朝着某个方向流动;贵金属的功函数通常会高于半导体的功函数,电子会不断的向金属迁移,空穴就留在半导体上,阻止了电子和空穴的复合,从而提高光催化效率。

发明内容

发明目的

本发明的目的是针对背景技术的状况,在氟化铵、乙二醇溶液中,采用阳极氧化法在金属钛基底上制备二氧化钛纳米管,采用酒石酸钠、氧化硒、氯化镉做原料,用电化学沉积法制成二氧化钛/硒化镉纳米薄膜,经磁控溅射喷金处理,制得层叠形二氧化钛/硒化镉/金复合薄膜,以提高二氧化钛对可见光的吸收及其光生电荷的分离和传输。

技术方案

本发明使用的化学物质为:氟化铵、金、酒石酸钠、氧化硒、氯化镉、乙二醇、盐酸、丙酮、无水乙醇、去离子水、铂片、钛片、甘汞片;其组合准备用量如下:以克、毫升、毫米为计量单位

制备方法如下:

(1)阳极氧化法制备二氧化钛薄膜

①清洗钛片

将钛片置于烧杯中,加入丙酮100mL,浸泡清洗10min,清洗后晾干;

将晾干的钛片置于另一烧杯中,加入无水乙醇100mL,浸泡清洗10min,清洗后晾干;

将晾干的钛片置于另一烧杯中,加入去离子水100mL,浸泡清洗10min,清洗后晾干;

②清洗铂片

将铂片置于烧杯中,加入丙酮100mL,浸泡清洗10min,清洗后晾干;

将晾干的铂片置于另一烧杯中,加入无水乙醇100mL,浸泡清洗10min,清洗后晾干;

将晾干的铂片置于另一烧杯中,加入去离子水100mL,浸泡清洗10min,清洗后晾干;

③配制电解液

称取氟化铵1.48g±0.001g,量取乙二醇196mL±0.001mL、去离子水4mL±0.001mL,加入烧杯中,搅拌15min,使其溶解,成电解液;

④阳极氧化制备二氧化钛薄膜是在玻璃电解槽内进行的,在电解液内,以钛片做阳极、铂片做阴极、在直流50V电压下,在磁子搅拌过程中,在钛片上生成二氧化钛纳米管阵列薄膜;

安装阳电极,在电解槽内左部位置安装阳极钛片,并由吊丝吊装;

安装阴电极,在电解槽内右部位置安装阴极铂片,并由吊丝吊装;

将配制的电解液加入电解槽内,电解液要淹没钛片和铂片;

将磁子搅拌器置于电解槽内底部;

开启直流电源,电压50V,电解液温度25℃,电解时间60min,电解过程中磁子搅拌器搅拌电解液;

在电解过程中,在钛片上生成二氧化钛纳米管阵列薄膜;

阳极氧化后关闭直流电源,取出钛片,用去离子水冲洗;

⑤真空干燥,将钛片及其上的二氧化钛纳米管阵列薄膜置于石英容器中,然后置于真空干燥箱中干燥,干燥温度50℃,真空度2Pa,干燥时间15min;

⑥热处理,将钛片及其上的二氧化钛纳米管阵列薄膜置于石英容器中,然后置于热处理炉中,密闭;开启加热器,以2℃/min的升温速率将温度从25℃加热至450℃,保温120min,然后随炉冷却至25℃,在钛片上生成锐钛矿相的二氧化钛纳米管阵列薄膜;

(2)制备二氧化钛/硒化镉薄膜

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