[发明专利]一种紫文兜兰的组培快繁育苗方法在审

专利信息
申请号: 201610947186.0 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN107980624A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 邓克云;邓克兰;刘森银;周丽 申请(专利权)人: 黔西南州绿缘动植物科技开发有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所52100 代理人: 吴无惧
地址: 562499 贵州省黔西南*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 兜兰 组培快 繁育 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种紫文兜兰的组培快繁育苗方法,属于组培苗的培育技术领域。

背景技术

紫文兜兰属(Paphiopedilum)植物,花形奇特,花色艳丽,是人们最喜爱的兰科植物之一。近十几年来,由于生态环境破坏等原因,不少种类已经到了灭绝的边缘。为了缓解对野生植株的采集压力,保护濒危物种,以及满足人们对兜兰属植物的需求,国内外学者对兜兰植物的人工繁殖进行了大量地研究。目前,部分兜兰种类的无菌播种和组织培养技术已获成功,但是紫文兜兰在组培过程中发芽率低,种苗生根率低,生长缓慢,成活率低,制约着兜兰的人工繁育。因此,提供一种紫文兜兰的组培快繁育苗方法具有重要意义。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:提供一种紫文兜兰的组培快繁育苗方法,以解决紫文兜兰种子发芽率低、种苗生根率低、生长缓慢的问题,加快紫文兜兰种苗的生长繁殖,满足大规模种植紫文兜兰的需要。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的:

一种紫文兜兰的组培快繁育苗方法,包括的步骤有紫文兜兰种子消毒处理、种子萌发培养、原球茎培养、生根培养以及试管苗移栽,所述种子萌发培养采用的培养基为1/2MS+0.1mg/LKT+20ml/L椰乳+20g/L蔗糖+6-7g/L琼脂粉,PH5.5,暗培养30-40天,培养温度25±1℃。

优选的,所述紫文兜兰种子消毒处理的具体步骤为:(1)首先用无菌水冲洗;(2)再用0.2%升汞浸泡15分钟,之后用无菌水冲洗;(3)最后用0.1%次氯酸浸泡5分钟,之后用无菌水冲洗。

优选的,所述原球茎培养采用的培养基为1/2MS+0.2mg/LBA+0.3mg/L活性炭+20g/L蔗糖+20g/L香蕉+6-7g/L琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200LUX,培养温度25±1℃。

优选的,所述生根培养采用的培养基为1/2MS+0.2mg/LNAA+0.1 mg/LBA +0.3mg/L活性炭+20g/L蔗糖+20g/L香蕉 +6-7g/L琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200LUX,培养温度25±1℃。

优选的,所述试管苗移栽的条件为:生根培养60-90天后,再炼苗7-15天,用0.1%百菌清浸泡10盆钟,凉干后移栽,室温15-28℃,空气湿度70%-80%,遮阴60-70%。

与现有技术相比,本发明的有益效果如下:通过本发明的技术方案,在紫文兜兰进行种子萌发培养采用了适于紫文兜兰组培的培养基,使得紫文兜兰发芽率高,在这个阶段的所使用的培养基中添加有椰乳成分,椰乳在对紫文兜兰愈伤组织份分化率和芽高均有促进作用,可以使组培苗增粗变壮,提高了紫文兜兰种子发芽率和种苗生根率。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对发明进行进一步介绍:

一种紫文兜兰的组培快繁育苗方法,包括以下步骤:

1、紫文兜兰种子消毒处理:具体步骤为:(1)首先用无菌水冲洗;(2)再用0.2%升汞浸泡15分钟,之后用无菌水冲洗;(3)最后用0.1%次氯酸浸泡5分钟,之后用无菌水冲洗。

2、种植萌发培养:种子萌发培养采用的培养基为1/2MS+0.1mg/LKT+20 ml/L椰乳+20g/L蔗糖+6-7g/L琼脂粉,PH5.5,暗培养30-40天,培养温度25±1℃。

3、原球茎培养:原球茎培养采用的培养基为1/2MS+0.2mg/LBA+0.3mg/L活性炭+20g/L蔗糖+20g/L香蕉+6-7g/L琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200LUX,培养温度25±1℃。

4、生根培养:生根培养采用的培养基为1/2MS+0.2mg/LNAA+0.1 mg/LBA +0.3mg/L活性炭+20g/L蔗糖+20g/L香蕉 +6-7g/L琼脂粉,PH5.5,光照培养12hr/d,光照强度1500-1200LUX,培养温度25±1℃。

5、试管苗移栽:进行试管苗移栽的条件为生根培养60-90天后,再炼苗7-15天,用0.1%百菌清浸泡10盆钟,凉干后移栽,室温15-28℃,空气湿度70%-80%,遮阴60-70%。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

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