[发明专利]整流器、使用该整流器的交流发电机以及电源

权利要求书

1.一种整流器，其特征在于，

该整流器具备：

整流MOSFET，其进行整流；

控制电路，其包括在第一输入端子上连接上述整流MOSFET的漏极、并在第二输入端子上连接上述整流MOSFET的源极的比较器，通过上述比较器的输出来控制上述整流MOSFET的导通和截止；以及

电容器，其向所述控制电路供应电源；

上述控制电路具备：

截断MOSFET，其在上述整流MOSFET的漏极与上述比较器的第一输入端子之间进行截断；以及

截断控制电路，其在上述整流MOSFET的漏极的电压为第一预定电压以上时，使上述截断MOSFET截止，并使上述整流MOSFET的漏极与上述比较器的第一输入端子之间电截断；在上述整流MOSFET的漏极的电压低于上述第一预定电压时，使上述截断MOSFET导通，并使上述整流MOSFET的漏极与上述比较器的第一输入端子电导通，

其中，上述比较器的第一输入端子连接于构成上述比较器的多个MOSFET中的一个MOSFET的栅极，并且所述第一预定电压低于由所述电容器供应的电源的电压，以防止由于构成上述比较器的MOSFET的阈值电压的移位所导致的上述整流MOSFET的导通和截止的定时的移位。

2.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，

上述截断控制电路具备在栅极上连接了上述整流MOSFET的漏极的N型MOSFET，通过上述N型MOSFET导通而使上述截断MOSFET截止，通过上述N型MOSFET截止而使上述截断MOSFET导通。

3.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，

该整流器具备电容装置，该电容装置连接于上述比较器的第一输入端子与第二输入端子之间。

4.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，

该整流器具备电阻，该电阻使上述比较器的第一输入端子与上述整流MOSFET的源极之间短路。

5.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，

该整流器具备：短路MOSFET，该短路MOSFET使上述比较器的第一输入端子与上述整流MOSFET的源极之间短路，

上述截断控制电路具备以下电路，该电路在上述整流MOSFET的漏极的电压为高于上述第一预定电压的第二预定电压以上时，使上述短路MOSFET导通，并在上述整流MOSFET的漏极的电压低于上述第二预定电压时，使上述短路MOSFET截止。

6.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，

上述截断控制电路具备以下电路，该电路在上述整流MOSFET的漏极的电压为预定电压以上时，使上述电容器的正极端子与上述比较器的电源电压端子之间电截断，在上述整流MOSFET的漏极的电压低于预定电压时，使上述电容器的正极端子与上述比较器的电源电压端子之间电导通。

7.根据权利要求1所述的整流器，其特征在于，

上述控制电路具备栅极驱动电路，

上述截断控制电路具备以下电路，该电路在上述整流MOSFET的漏极的电压为预定电压以上时，使上述电容器的正极端子与上述栅极驱动电路的电源电压端子之间电截断，在上述整流MOSFET的漏极的电压低于预定电压时，使上述电容器的正极端子与上述栅极驱动电路的电源电压端子之间电导通。

8.一种交流发电机，其特征在于，

具备权利要求1至权利要求7中任一项所述的整流器。

9.一种电源，其特征在于，

具备权利要求1至权利要求7中任一项所述的整流器。