[发明专利]一种利用配比酸液在低温下反应增强P型结染色效果的方法有效
| 申请号： | 201610318062.6 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105870063B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 王炯翀;王亮;何永强;刘焱;苏耿贤;陈越 | 申请（专利权）人： | 苏州博飞克分析技术服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 配比 低温 反应 增强 染色 效果 新方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用配比酸液在低温下反应增强P型结染色效果的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)多晶硅酸液的配置：将HF、HNO3以及CH3COOH依次注入烧杯中，搅拌混合均匀，即得多晶硅酸液；
(2)制备SRAM PMOS的横截面，然后将上一步配置的多晶硅酸液降温，将样品放入多晶硅酸液中进行反应；
(3)反应结束后，将样品置于FIB中制备成TEM样品，或制备成SEM样品；
所述步骤1中HF、HNO3、CH3COOH的摩尔比为1:3:15；
所述步骤2中，多晶硅酸液降温所达到的温度为-2-2℃。
2.根据权利要求1所述的利用配比酸液在低温下反应增强P型结染色效果的方法，其特征在于，所述步骤2中SRAM PMOS的横截面的制备方法为在FIB中切取或手动切取。
3.根据权利要求1所述的利用配比酸液在低温下反应增强P型结染色效果的方法，其特征在于，所述步骤2中，多晶硅酸液的降温方式为通过将酸液置于液氮与水的混合物中或置于冰块中制冷。
4.根据权利要求1所述的利用配比酸液在低温下反应增强P型结染色效果的方法，其特征在于，所述步骤2中，样品在多晶硅酸液中反应的时间为15-20s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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