[发明专利]一种透明导电和低发射率微网及其制备方法在审
申请号: | 201610289211.0 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN107342115A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 高彦峰;罗琳琳;余子涯;邸雪;窦维维 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,郑优丽 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 发射 率微网 及其 制备 方法 | ||
1.一种透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述微网是由金属纳米线相互交织成的金属纳米线网络,所述微网的平均网孔尺寸为200~1110 nm。
2.根据权利要求1所述的透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述微网的平均网孔尺寸为200~1000 nm,更优选为200~400 nm。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述金属纳米线为银纳米线、铜纳米线、金纳米线、和铝纳米线中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述金属纳米线的直径为10~500 nm、长度与直径之比范围为1~5000。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述微网的厚度为50 nm~50 μm,优选为10 μm~45μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述微网还包括支撑所述金属纳米线网络的衬底,优选为透明衬底。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的透明导电和低发射率微网,其特征在于,所述微网在550 nm处透过率为60%~85%,发射率为0.15~0.47。
8.一种权利要求1至7中任一项所述的透明导电和低发射率微网的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
配制金属纳米线涂覆液;
将所得的金属纳米线涂覆液涂覆于衬底上,经100~150 ℃热处理后,得到所述微网,所述涂覆方式优选为旋涂、辊涂、喷涂或磁控溅射。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述金属纳米线涂覆液中,溶剂为异丙醇、乙醇、和/或水,金属纳米线的浓度为0.01~0.1g/mL。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法,其特征在于,通过控制涂覆的厚度来控制所述微网的网孔尺寸。
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