[发明专利]外延设备腔室盖板在审
申请号: | 201610278900.1 | 申请日: | 2016-04-28 |
公开(公告)号: | CN107331634A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 季文明;林志鑫;刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 金华 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 设备 盖板 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造设备,特别涉及一种外延设备腔室盖板。
背景技术
目前,外延设备的温度测量主要采用热电阻(Thermal-couple,TC)进行测量,将热电阻放置在外延设备腔体的规定位置进行温度测量,这种测量方法测量外延腔室的温度只能抽测几个位置的温度,无法准确测量外延腔体内所有区域的温度分布。
并且,由于热电阻为耗材,每次设备维护保养(PM)时都需要更换四根热电阻,热电阻的价格昂贵且使用量较大,并且使用过程中会出现TC漏的意外,影响外延层的质量,污染外延基台。
发明内容
本发明的目的在于提供一种外延设备腔室盖板,通过使用可移动的红外测温装置替换目前使用的热电阻测温,能够测量整个晶圆内的温度分布,降低维护成本。
本发明的技术方案是一种外延设备腔室盖板,放置于外延设备腔室的上部,一部分所述盖板为透明材质,在所述盖板上形成可视窗口,红外测温装置的探头能够在所述可视窗口上自由移动,测量所述腔室内晶圆的温度。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述透明材质为石英。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口为长方形,位于所述盖板的中间位置。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口在所述盖板上水平设置。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口位于所述盖板竖直 方向上的中间位置,且在水平方向上贯穿所述盖板。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口位于所述盖板竖直方向上的中间位置,且位于所述盖板的左半侧或右半侧。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口在所述盖板上竖直设置。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口位于所述盖板水平方向上的中间位置,且在竖直方向上贯穿所述盖板。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口位于所述盖板水平方向上的中间位置,且位于所述盖板的上半侧或下半侧。
进一步的,在所述外延设备腔室盖板中,所述可视窗口的宽度为1mm~50mm。
与现有技术相比,本发明提供的外延设备腔室盖板,通过将腔室盖板的一部分设置为透明材质,在盖板上形成可视窗口,从而采用红外测温装置替换目前使用的热电阻测温,红外测温装置的探头在所述可视窗口上自由移动,能够测量整个晶圆内的温度分布,降低设备维护成本,使得维护简单方便,且不影响外延设备的稳定性。
附图说明
图1为本发明一实施例所提供的外延设备腔室盖板的结构示意图。
图2为本发明一实施例所提供的外延设备的截面图。
图3为本发明一实施例所提供的外延设备腔室盖板的结构示意图。
图4为本发明一实施例所提供的外延设备腔室盖板的结构示意图。
图5为本发明一实施例所提供的外延设备腔室盖板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂,以下结合说明书附图,对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例,本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
其次,本发明利用示意图进行了详细的表述,在详述本发明实例时,为了 便于说明,示意图不依照一般比例局部放大,不应对此作为本发明的限定。
本发明的核心思想是:通过将腔室盖板的一部分设置为透明材质,在盖板上形成可视窗口,从而采用红外测温装置替换目前使用的热电阻测温,红外测温装置的探头在所述可视窗口上自由移动,能够测量整个晶圆内的温度分布,降低设备维护成本,使得维护简单方便,且不影响外延设备的稳定性。
图1为本发明一实施例所提供的外延设备的腔室盖板的结构示意图,如图1所示,本发明提出一种外延设备的腔室盖板100,放置于外延设备腔室的上部,一部分所述盖板为透明材质,在所述盖板100上形成可视窗口101,红外测温装置的探头能够在所述可视窗口101上自由移动,如图中箭头所示,从而探测到腔室内部晶圆的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造