[发明专利]一种DRAM时钟同步系统有效
申请号: | 201610104422.2 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105577181B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 刘成;郭晓锋;梁超 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03L7/10 | 分类号: | H03L7/10 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dram 时钟 同步 系统 | ||
本发明公开一种DRAM时钟同步系统,包括接收器、DLL延迟链、DLL鉴相器和DLL控制电路;输入时钟信号线连接接收器的输入端和DLL鉴相器的第一输入端,接收器的输出端通过DLL延迟链的输入端;DLL延迟链的输出端连接DLL鉴相器的第二输入端;DLL鉴相器的输出端通过DLL控制电路连接DLL延迟链。本发明取消了现有技术中能够引起同步误差的反馈电路,将输入时钟和输出时钟dps直接进入DLL鉴相器,当DLL锁定后,DLL鉴相器的两个输入时钟的上升沿对齐,即输入时钟和输出时钟的上升沿对齐。本发明由于没有反馈电路,所以也不存在延迟时间匹配的问题,只要DLL能够正确锁定,则满足系统时钟同步的要求。
技术领域
本发明涉及DRAM技术领域,特别涉及一种DRAM时钟同步系统。
背景技术
请参阅图1所示,现有技术中DRAM系统时钟同步的工作原理为:
系统要求输入时钟和输出的dqX(X=0,1,2……n)及dqs的上升沿对齐,即
T1+T2+T3+T4=N*TCK N为整数
其中,T1是接收器rcv的延迟时间,T2是DLL延迟链的延迟时间,T3是时钟树的延迟时间,T4是发送器OCD的延迟时间,TCK是时钟周期。如果输入时钟和输出的dqX及dqs的上升沿没有对齐,则系统在高频工作时读取数据时就会出错。
当DLL锁定后,DLL鉴相器的两个输入时钟的上升沿是对齐的,即
T2+T5=N*TCK
其中,T5是反馈电路的延迟时间。如果反馈电路的延迟时间
T5=T1+T3+T4
那么就可以满足系统时钟同步的要求。
出于功耗的考虑,反馈电路是对rcv、时钟树和OCD的一个简单复制;所以存在以下问题:如果DRAM系统的电压,温度或工艺发生变化,反馈电路的延迟时间和真实电路的延迟时间就会发生偏差,即
T5≠T1+T3+T4
则输入时钟和输出的dqX及dqs的上升沿没有对齐,系统在高频工作时读取数据就会出错。
发明内容
本发明的目的在于提供一种DRAM时钟同步系统,以解决上述技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种DRAM时钟同步系统,包括接收器、DLL延迟链、DLL鉴相器和DLL控制电路;输入时钟信号线连接接收器的输入端和DLL鉴相器的第一输入端,接收器的输出端连接DLL延迟链的输入端;DLL延迟链的输出端连接时钟树,时钟树的输出端连接若干发送器OCD;若干发送器OCD中的一个的输出端连接DLL鉴相器的第二输入端;DLL鉴相器的输出端通过DLL控制电路连接DLL延迟链。
进一步的,若干发送器OCD中除输出端连接DLL鉴相器的第二输入端的一个发送器OCD外,其余发送器OCD的输出端均连接有一个虚拟负载。
进一步的,虚拟负载的大小等于将输出时钟输入到DLL鉴相器中所增加的负载。
进一步的,所述若干发送器OCD的负载匹配。相对于现有技术,本发明采用如下技术方案:
相对于现有技术,本发明具有以下有益效果:
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