[发明专利]细叶石斛的组培快繁方法

权利要求书

1.一种细叶石斛的组培快繁方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、外植体处理

采摘细叶石斛蒴果作为外植体材料，进行消毒处理；所述消毒处理为：用73～75wt％的酒精浸泡15～30s后，再用0.09～0.1wt％氯化汞溶液或0.9～1wt％次氯酸钠溶液浸泡10～20min，无菌水冲洗；

b、诱导培养

剪开消毒后蒴果，将种子分散于诱导培养基上培养至长出原球茎；所述诱导培养基组成为：VW基础培养基+蔗糖19～21g/l+琼脂5.3～5.5g/l+香蕉100～150g/l，PH为5.4～5.6；

c、增殖分化培养

将步骤b中原球茎接种到增殖分化培养基上进行增殖分化培养至具2～4个叶片、高3～4cm的无根苗；所述增殖分化培养基组成为：VW基础培养基+萘乙酸0.05～0.15mg/l+蔗糖19～21g/l+琼脂5.3～5.5g/l+香蕉100～150g/l，PH为5.4～5.6；

d、生根培养

将步骤c中无根苗移植到生根培养基上培养为高7～8cm、有5～10条根的幼苗；所述生根培养基组成为：1/2VW基础培养基+吲哚丁酸0.1～0.3mg/l+蔗糖19～21g/l+琼脂5.3～5.5g/l+香蕉100～150g/l+土豆90～110g/l+活性炭2～2.5g/l，PH 5.4～5.6；

e、炼苗培养

将步骤d中幼苗进行炼苗，炼苗后移栽大棚培养。

2.根据权利要求1所述的细叶石斛的组培快繁方法，其特征在于：步骤b中所述培养温度为22±2℃，光照强度为1500～2000Lux，光照时间为11～13h/d，培养时间45～55天。

3.根据权利要求1所述的细叶石斛的组培快繁方法，其特征在于：步骤c中所述培养温度为22±2℃，光照强度为1500～2000Lux，光照时间为11～13h/d，培养时间为45～60天。

4.根据权利要求1所述的细叶石斛的组培快繁方法，其特征在于：步骤c中所述接种时每瓶接种2～4个团，每团20～30个原球茎。

5.根据权利要求1所述的细叶石斛的组培快繁方法，其特征在于：步骤d中所述生根培养温度为22±2℃，光照强度为1500～2000Lux，光照时间11～13h/d，培养时间35～45天。

6.根据权利要求1所述的细叶石斛的组培快繁方法，其特征在于：步骤e中所述移栽大棚培养时，培养基质为7～10cm厚的松树皮上层覆盖一层1～2cm厚的水苔，基质湿度60～70％；移栽前10～15天内每1～2天洒一次水，之后每2～3天洒一次水，移栽培养时间为30～35天；待组培苗成活后，转移到大棚常规管理。