[发明专利]一种低介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的低温共烧陶瓷由CuO-B₂O₃二元氧化物烧结而成，其中CuO的含量为5wt%～95wt%。

2.根据权利要求1所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述CuO含量为5～40 wt%，所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料为CuB₂O₄晶相。

3.根据权利要求1所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述CuO含量为40～65 wt%时，所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料为CuB₂O₄和Cu₃B₂O₆的混合相。

4.根据权利要求1所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述CuO含量在65～95 wt%时，所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料为Cu₃B₂O₆晶相。

5.一种权利要求1-4中任一项所述低介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：

1）将B₂O₃和H₃BO₃中的一种和CuO两种氧化物原料按照一定的组成配比称取，经球磨混合均匀后，升温至500～800℃下煅烧3～5小时固相合成得到合成粉体；

2）将1）所得合成粉体球磨、烘干后，加入一定量的粘结剂造粒，压片成型得到陶瓷素坯；

3）将2）所得陶瓷素坯在850～950℃下煅烧15～240分钟烧结，随炉自然冷却，即得到所述的低介电常数低温共烧陶瓷材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述固相合成时升温的速率为以1～5℃/分钟。

7.根据权利要求5或6 所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂为聚乙烯醇PVA，粘结剂的质量比为球磨烘干后合成粉体的0.7～1.5wt%。

8.一种将权利要求1-4中任一项所述低介电常数低温共烧陶瓷材料与银共烧而制备的陶瓷材料与银的共烧体。