[发明专利]晶圆夹持机构在审
申请号: | 201610010992.5 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105609462A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 许振杰;王剑;王同庆;李昆;路新春 | 申请(专利权)人: | 天津华海清科机电科技有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 夹持 机构 | ||
技术领域
本发明涉及晶圆制造技术领域,尤其涉及一种晶圆夹持机构。
背景技术
大规模集成电路生产过程中,晶圆需要经过多道工序最终形成产品。在每一道工序中, 以及在晶圆传输过程中,都需要夹持机构固定晶圆,使晶圆保持一定状态,或按一定方式 运动。
现有的晶圆夹持机构,安装夹持晶圆的方式主要为两种:一种是通过接触的方式使驱 动夹持零件加紧晶圆,如使用气缸、弹簧、电机等执行机构驱动夹持零件夹紧晶圆;另一 种是在夹持机构转动过程中,通过零件的离心力加紧晶圆。现有晶圆夹持机构存在以下问 题:通过接触方式驱动夹持零件加紧晶圆,驱动装置如气缸、弹簧、电机等在反复驱动夹 持零件过程中,自身和夹持零件都会产生摩擦磨损,产生颗粒污染晶圆表面;接触方式驱 动夹持零件,会使晶圆夹持机构体积庞大,结构复杂,如气缸和电机需要特殊的安装结构 和动力源;转动的夹持机构通过零件的离心力夹持晶圆,在开始转动和转动停止的时候, 夹持力很小,由于晶圆的惯性,会导致晶圆与夹持零件间存在相对滑动,对晶圆表面会造 成磨损,同时会产生摩擦颗粒污染。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明提出一 种夹持力较大的晶圆夹持机构,该晶圆夹持机构的夹持力组件与晶圆不接触,可以避免晶 圆的磨损,而且晶圆夹持机构结构简单,占用空间小。
根据本发明的晶圆夹持机构,包括:转盘;多个卡爪,所述多个卡爪包括至少一个活 动卡爪,所述活动卡爪活动地设置在所述转盘上,所述卡爪用于将所述晶圆夹持在所述转 盘上;夹持力组件,所述夹持力组件设置成用于提供给所述活动卡爪夹持所述晶圆的夹持 力。
根据本发明的晶圆夹持机构,通过设置夹持力组件,可以提供给活动卡爪夹持晶圆的 夹持力,而且活动卡爪夹持晶圆的夹持力较大,可以防止晶圆的自转,可以有效保护晶圆。 另外,该晶圆夹持机构的夹持力组件与晶圆不接触,可以避免晶圆的磨损,而且晶圆夹持 机构结构简单,占用空间小。
另外,根据本发明的晶圆夹持机构还可以具有以下区别技术特征:
在本发明的一些示例中,所述夹持力组件为磁性夹持力组件,所述磁性夹持力组件设 置成用于提供给所述活动卡爪夹持所述晶圆的磁性夹持力。
在本发明的一些示例中,所述转盘上设置有枢转轴,所述活动卡爪可绕所述枢转轴转 动,所述磁性夹持力组件设置在所述枢转轴的至少一侧。
在本发明的一些示例中,所述磁性夹持力组件包括:相互吸引的第一磁性件和第二磁 性件,所述第一磁性件设置在所述转盘上且所述第二磁性件设置在所述活动卡爪上,所述 第一磁性件和所述第二磁性件位于所述枢转轴和所述晶圆之间。
在本发明的一些示例中,所述第一磁性件和所述第二磁性件中的一个为磁铁且另一个 为铁质件;或者所述第一磁性件和所述第二磁性件为相对设置且磁性不同的磁铁。
在本发明的一些示例中,所述磁性夹持力组件还包括:相互排斥第三磁性件和第四磁 性件,所述第三磁性件设置在所述活动卡爪上,所述第四磁性件设置在所述转盘上,所述 第三磁性件和所述第四磁性件相对所述枢转轴位于远离所述晶圆的一端。
在本发明的一些示例中,所述第三磁性件和所述第四磁性件为相对设置的同极性磁铁。
在本发明的一些示例中,所述转盘包括本体和支撑座,所述支撑座设置在所述本体的 一侧,所述本体上设置有用于安装所述活动卡爪的避让槽,所述支撑座上设置有配合槽, 所述配合槽内设置有支撑销,所述支撑销构成所述枢转轴。
在本发明的一些示例中,所述支撑座上设置有与所述活动卡爪相对的端板,所述第四 磁性件设置在所述端板上,所述第三磁性件与所述第四磁性件相对设置。
在本发明的一些示例中,所述活动卡爪的邻近所述晶圆的一端到所述枢转轴的惯性矩 小于另一端到所述枢转轴的惯性矩。
在本发明的一些示例中,所述晶圆夹持机构还包括:推杆,所述推杆适于驱动所述活 动卡爪解除对所述晶圆的夹持。
在本发明的一些示例中,所述多个卡爪还包括:至少一个固定卡爪,所述至少一个固 定卡爪固定在所述转盘上。
在本发明的一些示例中,所述固定卡爪的数量为a,所述活动卡爪的数量为b,a+b≥3。
在本发明的一些示例中,两个相邻的所述卡爪所对应的圆心角小于180°。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造