[实用新型]一种进气混气装置有效
申请号: | 201520232477.2 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN204589298U | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 刁宏伟;王文静;赵雷;周春兰;王光红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 进气混气 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种气体混气装置。
背景技术
采用等离子体方法在材料表面沉积薄膜的方法已被广泛使用,在太阳能电池领域应用也十分普遍。在太阳能电池领域不论是在何种材料表面沉积薄膜,其最终目标都是要获得具有良好光学或电学性能的薄膜。目前所使用的用于沉积薄膜的气源都多于两种,要获得具有良好光学或电学性能的薄膜,除工艺条件、气体纯度等外,设备本身也是关键因素之一。目前,广泛应用并较为重视的手段有:喷淋电极、甚高频电源、残余物处理、等离子密度及均匀性、交变磁场等等。此外,多种气体均匀混合问题也是影响沉积薄膜性能的因素。传统混气方式主要是把不同气体同时通入汇流主管,再经汇流主管送入等离子电极中,这会造成小流量气体在进入汇流主管前就被大流量气体压制在自身管道中,无法进入汇流主管,直到达到一定量时才能进入汇流主管,这种情况下所沉积的薄膜的性能是很差的,可见此问题的重要性。
在太阳能电池领域中,多种气体均匀混合的问题更为突出。当沉积N型、P型及其它掺杂材料薄膜时,掺杂气体用量要远小于稀释等气体用量,即使等离子体等相关参数很稳定的情况下,若不同气体混合均匀性不好,也就是说空间分布不均匀时,则会造成所沉积的薄膜在不同区域间电学性能的差异,造成器件整体性能下降。因此,保证混气均匀是获得具有良好光学或电学性能薄膜的必要条件,且优先级应高于均匀等离子体等必要条件。
如图1所示,传统混气一般采用多条气体管路汇集于一条回流管道中,为安装方便,管道直径也基本相等,且未按流量等参数予以优化设计,大流量气体会使小流量气体阻塞于小流量管道内,直至小流量管道内阻塞的气体压力与大流量气体接近时,才能得以流出小流量管道,进而造成薄膜电学及光学性能达不到所期望值,过程无法重复。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术造成混气不均匀的缺点,提出一种用于等离子体电极的进气混气装置。该进气混气装置由气体管道簇及直筒两部分组成,气体管道簇插入直筒内焊接为一整体。直筒的一端为一簇气体管道,为气体流入端;直筒的另一端为一通孔,为混合气体流出端。所述的气体流入端与气体流量计连接,所述的混合气体流出端与等离子电极的进气口连接。
所述的气体管道簇部分由多根气体管道组成的气体管道簇及一圆盘组成,圆盘上开有与气体管道数量相等的通孔,通孔的孔径与气体管道的直径匹配,每一通孔穿过一根气体管道。气体管道焊接在圆盘上,连接为一整体。气体管道簇的多根气体管道中,布置于圆盘中心的一根气体管道用于通入大流量气体,且仅有位于中心的一根气体管道用于通入大流量气体。布置于圆盘中心的大流量气体管道周围,且与大流量气体管道等距离的小流量气体管道用于通入小流量气体。位于圆盘一面的气体管道口为气体流入端,气体流入端的所有气体管道口高出圆盘平面,与圆盘不在同一水平面内。位于圆盘另一面的气体管道口为气体流出端,气体流出端的小流量气体管道气体流出端与圆盘位于同一水平面,位于圆盘中心的大流量气体管道的气体流出端与圆盘平面的距离大于小流量气体管道的气体流出端与圆盘平面的距离,大流量气体管道的气体流出端伸出圆盘平面,与圆盘平面有一段距离。
所述的直筒部分一端的内径远大于另一端的内径,直筒内部空间由位于上部的一漏斗形空间及位于下部的通孔组成,漏斗形空间的小开口端与通孔连接。通孔具有一定长度,通孔的直径略大于气体管道簇部分圆盘中心的大流量气体管道的直径,漏斗形空间与通孔连通。
气体管道簇部分的气体流出端插入直筒部分的漏斗形空间中,圆盘盖在直筒部分内径较大的一端的端面上,和直筒的这一端焊接密封。焊接后,直筒的一端为一簇气体管道,为气体流入端;直筒的另一端为一通孔,为混合气体流出端;位于气体管道簇中心的大流量气体管道用于通入大流量气体,位于大流量气体管道周围的小流量气体管道用于通入小流量气体。
本装置气体管道簇的气体流入端与气体流量计连接,混合气体流出端与等离子电极的进气口连接。大流量气体和小流量气体气体经气体流入端进入直筒部分,大流量气体的流动造成直筒内漏斗形空间产生一负压区间,使小流量气体管道中的小流量气体流入直筒部分的漏斗形空间,实现与大流量气体混合。可避免小流量气体因流量小而阻塞在管道中的情况发生。
本实用新型可应用于等离子体的不同气体间流量差值大于一个量级以上的混气,进而改善所沉积薄膜的光学或电学性能。
附图说明
图1传统混气装置结构示意图,图中:1气体流入端,2混合气体流出端;
图2气体管道簇与圆盘装配结构示意图,图中:5大流量气体管道,4、6小流量气体管道,7通孔,8圆盘;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的