[实用新型]过压浪涌电流抑制电路有效
申请号: | 201520231844.7 | 申请日: | 2015-04-16 |
公开(公告)号: | CN205051345U | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 陆智强 | 申请(专利权)人: | 上海锦湃电器有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02H9/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200001 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浪涌 电流 抑制 电路 | ||
1.过压浪涌电流抑制电路,其特征在于,包括输入滤波模块、输入电压检测模块、驱动电路模块、转换模块、输入浪涌电流检测模块、输出滤波模块,所述驱动电路模块与输入滤波模块、输入电压检测模块、输入浪涌电流检测模块、转换模块分别相连接,所述输入滤波模块与输入电压检测模块相连接,所述转换模块与输入浪涌电流检测模块、输出滤波模块分别相连接。
2.根据权利要求1所述的过压浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述转换模块包括开关MOSFET、整流二极管、储能电感,所述开关MOSFET的漏极与整流二极管正极、储能电感分别相连接,所述整流二极管负极连接输出滤波模块正极,所述储能电感连接输出滤波模块负极。
3.根据权利要求2所述的过压浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述输入电压检测模块包括输入分压电阻、第一稳压管、调节所述开关MOSFET驱动信号的三极管,所述输入分压电阻的一端连接于输入滤波模块的输出端,所述输入分压电阻的另一端经第一稳压管与三极管基极相连接。
4.根据权利要求3所述的过压浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述三极管为NPN型三极管。
5.根据权利要求2所述的过压浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述开关MOSFET的源极经电流采样电阻与接地连接,所述开关MOSFET的栅极与驱动电路模块相连接。
6.根据权利要求2所述的过压浪涌电流抑制电路,其特征在于,所述开关MOSFET的栅源极间连接第二稳压管,所述第二稳压管的正极连接开关MOSFET的源极,所述第二稳压管的负极连接开关MOSFET的栅极。
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