[实用新型]电池片正面栅线结构有效

专利信息
申请号: 201520223037.0 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN204516780U 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 唐鑫鑫 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 常州市科谊专利代理事务所 32225 代理人: 孙彬
地址: 213022 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电池 正面 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电池片正面栅线结构,属于电池片栅线设计技术领域。

背景技术

目前,太阳能产业的迅速发展需要不断降低物料成本,提高光电转化效率高来降低发电成本,达到与市电同价或低于市电电价的目标。

当前常规晶硅电池随着产业化的发展,转换效率提升和成本降低都有了较大的进步。晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤:化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。太阳能电池片在将光能转换成电能的过程中,其内部产生的光生载流子需要通过外部印刷的电极收集并引出,然后与外部电路连接,从而将电流输送出来。通过所述外部印刷的电极不仅可以用来收集光生载流子,而且还能对太阳能电池进行测试,进而选取不同效率的电池片,可在制作太阳能电池组件的时候得到最大的功率输出。

现有技术中太阳能电池采用电极为主栅和副栅组成,主栅线和副栅线覆盖在硅片上的面积较大,这使得现有技术的栅线遮光率达到了4%以上,降低了太阳能电池片的利用效率。除此之外,印刷电极时需要贵重金属作为导电浆料,主栅线和副栅线覆盖在硅片上的面积较大也必然使得导电浆料的使用增加,因此,致使太阳能电池片的制作成本较高。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种电池片正面栅线结构,它不仅能够有效地提高光利用率和电子收集率,从而提高太阳能电池的填充因子和转换效率,而且能够降低太阳能电池片的制作成本。

为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:一种电池片正面栅线结构,它包括相互垂直布置的主栅和副栅,所述主栅具有主体部分和端头部分,端头部分连接在主体部分的两端,主体部分为多段式结构,并且主体部分内设置有多个腰形镂空图案槽,所述端头部分为直线条形结构,端头部分的宽度比主体部分的宽度小。

进一步提高主栅的附着力,大大地降低主栅脱落的现象,所述的副栅上与主栅相连接的主栅连接部分的宽度比副栅上除主栅连接部分外的其余部分的宽度大。

进一步,所述的副栅上的主栅连接部分的宽度为100μm,副栅上除主栅连接部分外的其余部分的宽度为30~40μm。

进一步,所述的主栅的主体部分内还设置多个直线条形镂空图案槽。

进一步为了能够有效减少印刷过程中产生的边缘加粗的现象,电池片正面栅线结构还包括次副栅,次副栅与主栅相平行,并且次副栅与副栅的端点相连接,次副栅的宽度为30μm。

进一步,所述的主栅的主体部分的宽度为1.5mm,所述的端头部分的宽度为0.3mm。

采用了上述技术方案后,本实用新型具有以下的有益效果:

1)印刷该正面栅线结构的太阳能电池片遮光率得到有效降低,采用本实用新型的电池遮光率可以降低到4%左右,同时由于主栅线变为镂空,收集电子的能力提升,这使得太阳能电池片的串联电阻降低,填充因子上升,继而提高了整体转换效率;

2)正面电极面积减小,正极银浆的印刷重量也随之降低,继而降低了太阳能电池片的制造成本。

3)镂空图案槽的设计及主栅和副栅连接处加粗的设计将大大提高了主栅的附着力,大大降低了主栅脱落的不良。

附图说明

图1为本实用新型的电池片正面栅线结构的结构示意图;

图2为本实用新型的电池片的主栅的局部示意图一;

图3为本实用新型的电池片的主栅的局部示意图二。

具体实施方式

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1~3所示,一种电池片正面栅线结构,它包括相互垂直布置的主栅1和副栅2,主栅1具有主体部分11和端头部分12,端头部分12连接在主体部分11的两端,主体部分11为多段式结构,并且主体部分11内设置有多个腰形镂空图案槽111,端头部分12为直线条形结构,端头部分12的宽度比主体部分11的宽度小。

如图2、3所示,副栅2上与主栅1相连接的主栅连接部分21的宽度比副栅2上除主栅连接部分21外的其余部分的宽度大。

副栅2上的主栅连接部分21的宽度为100μm,副栅2上除主栅连接部分21外的其余部分的宽度为30~40μm。

如图2、3所示,主栅1的主体部分11内还设置多个直线条形镂空图案槽112。

如图1所示,电池片正面栅线结构还包括次副栅3,次副栅3与主栅1相平行,并且次副栅3与副栅2的端点相连接,次副栅3的宽度为30μm。

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