[实用新型]一种超低静态功耗的线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201520221486.1 申请日: 2015-04-13
公开(公告)号: CN204650334U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 刘博;杨骏;张海英 申请(专利权)人: 南京中科微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 210046 江苏省南京市玄武区玄武大*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 静态 功耗 线性 稳压器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种超低静态功耗的线性稳压器,属于电源管理芯片技术领域。

背景技术

随着便携式电子产品的飞速发展,电源管理芯片系统在移动电子产品中扮演越来越重要的角色。在各种电源管理芯片系统中,低压差线性稳压器以其电路结构简单、占用芯片面积小、高电源抑制比以及低噪声等优点,牢牢占据着电源管理市场很大的份额,大多数系统都会在其内部集成一个乃至多个线性稳压器来为各个模块供电。随着电子产品功能的日益复杂与多样化,消费市场对其性能的要求也在不断提高

但是目前市场上线性稳压器的静态功耗比较大,电源效率较低,无法满足便携式电子产品的续航要求。随着电子产品功能的多样化,对电源管理芯片系统的要求也越来越高,尤其是降低系统功耗,提高产品的待机时间。这也对线性稳压器的设计带来更大的挑战。

实用新型内容

目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种超低静态功耗的线性稳压器。

技术方案:为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:

一种超低静态功耗的线性稳压器,包括误差放大器、MOS管、反馈电路、带隙基准模块、过温保护电路模块,所述带隙基准模块引脚包括VIN、VTH1、VTH2、Vbias、Vref,所述过温保护电路模块引脚包括VIN、Vbias、VTH1、VTH2、Temp_ctrl,所述带隙基准模块的VTH1、VTH2、Vbias引脚与过温保护电路模块的VTH1、VTH2、Vbias引脚相连接,所述带隙基准模块的VIN引脚与过温保护电路模块的VIN引脚均与电压输入端相连接,所述带隙基准模块的Vref引脚与误差放大器的输入端相连接,所述过温保护电路模块的Temp_ctrl引脚与误差放大器的使能端相连接,所述误差放大器输出端与MOS管栅极相连接,MOS管源极与电压输入端相连接,MOS管漏极设置为电压输出端,电压输出端与接地之间并联有反馈电路,所述反馈电路包括第一反馈电阻、第二反馈电阻,第一反馈电阻、第二反馈电阻相串联,第一反馈电阻、第二反馈电阻之间与误差放大器另一输入端相连接。

所述带隙基准模块包括MOS管、三极管、电阻,所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管,所述三极管包括:第一三极管、第二三极管,所述电阻包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻;所述第一MOS管、第二MOS管的源极均接入电压输入端,第一MOS管、第二MOS管的栅极相连接,第一MOS管、第二MOS管的漏极与栅极相短接,所述第一MOS管、第二MOS管的短接公共点设置为Vbias端口,第一MOS管、第二MOS管短接点分别与第三MOS管、第四MOS管的源极相连接,第三MOS管、第四MOS管的栅极相连接,第四MOS管的漏极与栅极相短接,第四MOS管短接公共点与第六MOS管的漏极相连接,第五MOS管的漏极与栅极相短接,第三MOS管的漏极与第五MOS管的短接公共点相连接,第五MOS管与第六MOS管的栅极相连接,第七MOS管的漏极与栅极相短接,第五MOS管的源极与第七MOS管的短接公共点相连接,第六MOS管的源极与第八MOS管的漏极相连接,第七MOS管、第八MOS管的栅极相连接,第七MOS管、第八MOS管源极分别与第一三极管、第二三极管的集电极相连接,第一三极管、第二三极管的基极相连接,基极公共点作为Vref端口,第一三极管发射极分别与第二电阻、第三电阻、第四电阻串联后接地,第一电阻与第一三极管的基极、发射极相并联,接入第二三极管发射极后与第二电阻、第三电阻、第四电阻串联;第二电阻下端作为VTH2端口,第三电阻下端作为VTH1端口。

还包括启动电路,所述启动电路包括第九MOS管,第十MOS管,第十一MOS管,第九MOS管源极接入电压输入端,第九MOS管,第十MOS的管栅极相连接,第九MOS管,第十MOS管栅极公共点与第七MOS管,第八MOS管栅极公共点相连接,第九MOS管,第十MOS管的漏极相连接,第九MOS管,第十MOS管的漏极公共点与第十一MOS管栅极相连接,第十一MOS管漏极与第一MOS管、第二MOS管栅极公共点相连接,第十MOS管,第一MOS管的源极均接地。

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