[实用新型]一种超低静态功耗的线性稳压器

权利要求书

1.一种超低静态功耗的线性稳压器，包括误差放大器、MOS管、反馈电路，其特征在于：还包括带隙基准模块、过温保护电路模块，所述带隙基准模块引脚包括VIN、VTH1、VTH2、Vbias、Vref，所述过温保护电路模块引脚包括VIN、Vbias、VTH1、VTH2、Temp_ctrl，所述带隙基准模块的VTH1、VTH2、Vbias引脚与过温保护电路模块的VTH1、VTH2、Vbias引脚相连接，所述带隙基准模块的VIN引脚与过温保护电路模块的VIN引脚均与电压输入端相连接，所述带隙基准模块的Vref引脚与误差放大器的输入端相连接，所述过温保护电路模块的Temp_ctrl引脚与误差放大器的使能端相连接，所述误差放大器输出端与MOS管栅极相连接，MOS管源极与电压输入端相连接，MOS管漏极设置为电压输出端，电压输出端与接地之间并联有反馈电路，所述反馈电路包括第一反馈电阻、第二反馈电阻，第一反馈电阻、第二反馈电阻相串联，第一反馈电阻、第二反馈电阻之间与误差放大器另一输入端相连接。

2.根据权利要求1所述的一种超低静态功耗的线性稳压器，其特征在于：所述带隙基准模块包括MOS管、三极管、电阻，所述MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管，所述三极管包括：第一三极管、第二三极管，所述电阻包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；所述第一MOS管、第二MOS管的源极均接入电压输入端，第一MOS管、第二MOS管的栅极相连接，第一MOS管、第二MOS管的漏极与栅极相短接，所述第一MOS管、第二MOS管的短接公共点设置为Vbias端口，第一MOS管、第二MOS管短接点分别与第三MOS管、第四MOS管的源极相连接，第三MOS管、第四MOS管的栅极相连接，第四MOS管的漏极与栅极相短接，第四MOS管短接公共点与第六MOS管的漏极相连接，第五MOS管的漏极与栅极相短接，第三MOS管的漏极与第五MOS管的短接公共点相连接，第五MOS管与第六MOS管的栅极相连接，第七MOS管的漏极与栅极相短接，第五MOS管的源极与第七MOS管的短接公共点相连接，第六MOS管的源极与第八MOS管的漏极相连接，第七MOS管、第八MOS管的栅极相连接，第七MOS管、第八MOS管源极分别与第一三极管、第二三极管的集电极相连接，第一三极管、第二三极管的基极相连接，基极公共点作为Vref端口，第一三极管发射极分别与第二电阻、第三电阻、第四电阻串联后接地，第一电阻与第一三极管的基极、发射极相并联，接入第二三极管发射极后与第二电阻、第三电阻、第四电阻串联；第二电阻下端作为VTH2端口，第三电阻下端作为VTH1端口。

3.根据权利要求2所述的一种超低静态功耗的线性稳压器，其特征在于：还包括启动电路，所述启动电路包括第九MOS管，第十MOS管，第十一MOS管，第九MOS管源极接入电压输入端，第九MOS管，第十MOS的管栅极相连接，第九MOS管，第十MOS管栅极公共点与第七MOS管，第八MOS管栅极公共点相连接，第九MOS管，第十MOS管的漏极相连接，第九MOS管，第十MOS管的漏极公共点与第十一MOS管栅极相连接，第十一MOS管漏极与第一MOS管、第二MOS管栅极公共点相连接，第十MOS管，第一MOS管的源极均接地。

4.根据权利要求2或3所述的一种超低静态功耗的线性稳压器，其特征在于：所述过温保护电路模块包括：第一传输门、第二传输门、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第一施密特触发器、第二施密特触发器、第十二MOS管、第三三极管，第一传输门输入端与VTH1端口相连接，第二传输门输入端与VTH2端口相连接，第一传输门、第二传输门的输出端相连接后与第三三极管的基极相连接，第十二MOS管源极接入电压输入端，第十二MOS管栅极与Vbias端口相连接，第十二MOS管漏极与第三三极管集电极相连接，第三三极管发射极接地，第十二MOS管漏极与第三三极管集电极公共点依次与第一施密特触发器、第一反相器、第二反相器、第二施密特触发器、第三反相器、第四反相器、第五反相器相串联，第六反相器、第七反相器相串联，第五反相器输出端与第六反相器输入端相连接，第六反相器输出端与第二传输门反向控制端相连接，第七反相器输出端与第一传输门反向控制端相连接，第五反相器输出端与第八反相器输入端相连接，第八反相器输入端与第二传输门正向控制端相连接，第八反相器输出端与第一传输门正向控制端相连接，第五反相器输出端作为Temp_ctrl端口。