[发明专利]过压保护部件有效
申请号: | 201510363846.6 | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN105226053B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | M·罗维瑞;L·穆安德龙;C·巴龙 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 部件 | ||
1.一种集成电路,包括:
垂直肖克利二极管,所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括:
-第一导电类型的第一区域,
-第二导电类型的衬底,以及
-所述第一导电类型的第二区域,所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域,以及
第一垂直晶体管,所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括:
-所述衬底的一部分,该部分由垂直壁与所述垂直肖克利二极管分离,
-所述第二区域的一部分,
-第四区域,所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同,
其中所述第四区域和所述第三区域是分离的区域,所述第四区域和所述第三区域通过第二区域的一部分彼此分开,以及其中所述第三区域连接至所述第四区域。
2.根据权利要求1所述的集成电路,进一步包括,与所述第一垂直晶体管结构相同的第二晶体管。
3.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一垂直晶体管位于包含所述垂直肖克利二极管的芯片的角部中。
4.一种集成电路,包括:
垂直肖克利二极管,所述垂直肖克利二极管从顶部至底部包括:
-第一导电类型的第一区域,
-第二导电类型的衬底,以及
-所述第一导电类型的第二区域,所述第二区域具有形成在其中的所述第二导电类型的第三区域,以及
第一垂直晶体管,所述第一垂直晶体管从顶部至底部包括:
-所述衬底的一部分,该部分由垂直壁与所述垂直肖克利二极管分离,
-所述第二区域的一部分,
-第四区域,所述第四区域与形成在所述第二区域的一部分中的第三区域的导电类型相同,
其中所述第三区域连接至所述第四区域;
开关,所述开关与所述垂直肖克利二极管并联连接;
电阻器,所述电阻器具有连接至所述第一垂直晶体管的上主端子的第一端子;以及
电压源,所述电压源连接至所述电阻器的第二端子,
所述第一垂直晶体管的上主端子连接至所述开关的控制和检测的电路。
5.根据权利要求4所述的集成电路,其中,所述开关被控制为根据在所述第一垂直晶体管的上主端子与所述第三区域之间的电压来导通和关断。
6.根据权利要求4所述的集成电路,进一步包括:
第二晶体管,所述第二晶体管与所述第一垂直晶体管结构相同;以及
第二电阻器,所述第二电阻器具有连接至所述第二晶体管的上主端子的第一端子、以及具有连接至所述电压源的第二端子,
所述第二晶体管的上主端子连接至所述开关的控制和检测的电路。
7.根据权利要求6所述的集成电路,其中,所述开关被控制为根据所述第一垂直晶体管的上主端子与所述第三区域之间的第一电压而导通,并且所述开关被控制为根据所述第二晶体管的上主端子与所述第三区域之间的第二电压而关断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的