[发明专利]等离子光谱分析方法

说明书

本发明提供等离子光谱分析方法，使得等离子发光的再现性高。作为解决手段，本发明的等离子光谱分析方法特征在于，其包括检测通过施加电压而产生的等离子的发光的检测工序和不检测等离子的发光的非检测工序，反复进行所述检测工序和所述非检测工序，在所述检测工序中，交替地进行产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的等离子非产生工序。由此，能够提高等离子发光的再现性。

技术领域

本发明涉及等离子光谱分析方法。

背景技术

作为元素分析的装置，公开有如下等离子产生装置：在具有狭小部的流路中产生气泡，并在所述气泡中产生等离子，测量所述狭小部中的发光(专利文献1)。但是，该装置存在等离子发光的再现性低这样的问题。

对此，为了消除作为再现性低下的原因的气泡滞留，公开了如下方法：使所述流路中的溶液移动，来去除所述气泡(专利文献2)。但是，为了使溶液移动，需要注射泵等排出构件，存在等离子产生装置大型化这样的问题。

此外，作为提高再现性的方法，提出了如下方法：将狭小部以外的区域作为等离子发光的测量部，测量针对1次电压施加产生的多次等离子中的第2次以后的等离子发光(专利文献3)。但是，根据这样的方法，也无法得到足够的再现性。

专利文献1：日本专利3932368号公报

专利文献2：日本特开2011-180045号公报

专利文献3：日本特开2012-185064号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于提供例如等离子发光的再现性优异的等离子光谱分析方法。

为了解决所述本发明的问题，本发明的等离子光谱分析方法的特征在于，其包括以下工序：

检测工序，检测通过向电极系统施加电压而在容器中产生的等离子的发光；以及

非检测工序，不检测等离子的发光，

反复进行所述检测工序和所述非检测工序，

在所述检测工序中，交替地进行产生等离子的等离子产生工序和不产生等离子的等离子非产生工序。

本发明人进行深入研究，结果得到如下认识：等离子发光的再现性与因电压施加而产生的气泡相关，通过控制所述气泡的产生和成长，能够提高所述再现性。另一方面，在等离子光谱分析方法中，通常反复进行以下工序：通过电压施加产生等离子并检测等离子发光的检测工序；以及不检测等离子的发光的非检测工序，在所述检测工序中，连续地施加能够产生等离子的恒定的电压。针对这样的方法，本发明人发现，由于在所述检测工序中连续地施加所述恒定电压，产生的气泡无限制地成长，因此，在每1次的所述检测工序中，不能控制在哪个时刻所述狭小部被绝缘，因所述恒定电压的施加而产生等离子，其结果是，使等离子发光变得不稳定。因此，在所述检测工序中，不连续地施加能够产生等离子的恒定电压，而是交替地进行等离子的产生和等离子的不产生，由此控制气泡的产生和成长，其结果是，提高了等离子发光的再现性。根据这样的本发明的等离子光谱分析方法，例如，能够实现等离子发光的优异的再现性。因此，本发明例如在利用了等离子产生的元素等的分析中极为有用。

附图说明

图1是示出在本发明的分析方法中，所述检测工序与所述非检测工序之间的关系的概略图。

图2是本发明的实施例1中的芯片的示意图。

图3是示出本发明的实施例1中的等离子发光的计数值的C.V.值的图表。

图4是示出本发明的实施例2中的等离子发光的计数值的C.V.值的图表。

具体实施方式

如上所述，本发明的等离子光谱分析方法的特征在于，其包括以下工序：