[发明专利]一种AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201510033234.0 申请日: 2015-01-21
公开(公告)号: CN104630668A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 胡勇 申请(专利权)人: 华东交通大学
主分类号: C22F1/06 分类号: C22F1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 330013 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 az91 xgd 合金 固态 坯料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)、将AZ91D镁合金熔化;

(2)、当温度达到700℃时,加入质量分数为0%-2.0%的稀土钆,保温15min,将熔体浇注成铸态棒料以获得AZ91-XGd合金;

(3)、将AZ91-XGd合金进行等温处理,等温温度为570℃~585℃,等温时间为15min~45min之间,促使坯料组织演变为球状组织,从而得到AZ91-XGd合金半固态坯料。

2.如权利要求1所述的AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法,其特征在于所述步骤(2)中加入质量分数为1.5%的稀土钆。

3.如权利要求1或2所述的AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法,其特征在于所述步骤(3)中等温温度为585℃,等温时间为30min。

4.如权利要求3所述的AZ91-XGd合金半固态坯料的制备方法,其特征在于所述步骤(3)中通过覆盖石墨及覆盖剂防止镁合金氧化燃烧。

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