[发明专利]一种二硼化钛-碳化钛复合薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510010687.1 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN104499033A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 许友;罗北平;余红霞;武鹄 申请(专利权)人: 湖南理工学院
主分类号: C25D15/00 分类号: C25D15/00;C25D9/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 414000 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 二硼化钛 碳化 复合 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种一种二硼化钛-碳化钛复合薄膜的制备方法,其特征是在有机溶剂复合电沉积液中,在低温常压条件下,采用等离子体电沉积方法制备二硼化钛-碳化钛复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的有机溶剂复合电沉积液体系,其特征是以有机试剂作为碳化钛薄膜的前体,有机溶剂为二硼化钛粉末的载体,也可配有导电剂,有机试剂优选低分子量的有机溶剂。

3.根据权利要求2所述的有机溶剂复合电沉积液体系,其特征是:有机钛15~30%,有机溶剂50~65%,二硼化钛粉末5~10%,导电介质1%。

4.根据权利要求1的等离子体电沉积方法,其特征是采用恒压等离子体电沉积模式进行,或采用恒流等离子体电沉积模式进行。

5.根据权利要求1,其特征是在液相等离子体电沉积过程中电解液的温度保持在30℃~100℃,优选为50℃~80℃。

6.根据权利要求1,其特征是在液相等离子体电沉积过程中电压变化区域为1000V~3000V。

7.根据权利要求1其特征是阴阳极面积比为1:1~1:2,极间距为5mm~30 mm,作为基体材料(阴极或阴极的衬底材料)可以是任一导电材料或带有导电层的材料,如铝合金、不锈钢、高速钢、硬质合金、钛合金、硅片、导电玻璃、导电塑料及其他金属或合金材料等 。

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