[实用新型]一种电磁继电器的磁路结构有效
申请号: | 201420525334.6 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN204179024U | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 林景煌;谭忠华;林正极 | 申请(专利权)人: | 厦门宏发电声股份有限公司 |
主分类号: | H01H50/16 | 分类号: | H01H50/16 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠 |
地址: | 361000 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 继电器 磁路 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及继电器技术领域,特别是涉及一种电磁继电器的磁路结构。
背景技术
继电器是具有隔离功能的自动开关元件,广泛应用于通讯、汽车、自动控制、家用电器等领域,是最重要的控制元件之一。
现有技术的一种电磁继电器的磁路结构,如图1、图2所示,图1为现有技术的电磁继电器的磁路结构的局部构造示意图,图2为图1所示磁路结构的构造分解示意图。该磁路结构包括轭铁101、导磁片102和磁钢103,在导磁片102上设有凸苞1021,导磁片102与轭铁101相固定时,是将导磁片102贴在轭铁101的下表面,使导磁片102上的凸苞1021与轭铁101的下表面相接触,然后在轭铁101的上表面的对应于导磁片102的凸苞1021的位置放置电极,通过电极将凸苞点熔化,使得导磁片102与轭铁101焊接在一起,即实现了导磁片102与轭铁101的相固定,磁钢103则是夹在轭铁101与导磁片102之间。这种电磁继电器的磁路结构,由于是采用电极点焊形成的结构来实现导磁片102与轭铁101的相固定,因此,存在的问题是:点焊受到导磁片镀层及轭铁镀层以及苞点尺寸公差的影响,焊接后的结合力散差大,结合力小时,导磁片与轭铁直接脱离,零件报废率高,因苞点的熔化面积不同,从而影响磁路一致性及产品磁钢的保持力,影响产品质量及生产效率。另一方面,由于磁钢103的两侧没有进行限位,因而,造成了产品装配一致性困难和效率低的弊端。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之不足,提供一种电磁继电器的磁路结构,通过对磁路结构的导磁片和轭铁之间连接结构的改进,使得铆接结构不受导磁片及轭铁镀层以及苞点公差的影响,具有工艺可行性优良,磁路一致性好的特点,并可大大提高产品生产效率,降低产品的报废率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种电磁继电器的磁路结构,包括轭铁、导磁片和磁钢,所述轭铁设有贯穿上下表面的锥铆孔,所述导磁片设有锥铆凸苞,所述导磁片贴在轭铁的下表面并使导磁片的锥铆凸苞插进轭铁的锥铆孔中,并通过锥铆方式使导磁片的锥铆凸苞胀开贴紧在轭铁的锥铆孔的孔壁处,所述磁钢夹在轭铁和导磁片之间。
进一步的,所述的导磁片还设有防转/定位凸苞,在轭铁的下表面的对应位置设有用来与所述防转/定位凸苞相适配的凹槽,所述防转/定位凸苞插接在所述凹槽中。
进一步的,所述的导磁片还设有二个用来对磁钢的插装进行定位的第一定位凸苞,所述磁钢的一侧抵靠在所述二个第一定位凸苞处。
所述第一定位凸苞为矩形。
所述锥铆凸苞为圆柱形,所述锥铆孔为圆形通孔。
所述防转/定位凸苞为圆柱形,所述凹槽为圆形盲孔。
所述圆形通孔的孔径尺寸大于圆形盲孔的孔径尺寸。
所述轭铁的下表面设有台阶,所述磁钢贴在轭铁的台阶上侧的下表面处,所述导磁片贴在轭铁的台阶下侧的下表面处。
所述的轭铁的台阶上侧的下表面处还设有二个第二定位凸苞,且两个第二定位凸苞分别处在磁钢的两边的位置以形成对所述磁钢进行预置方向的限位。
所述第二定位凸苞为矩形。
与现有技术相比较,本实用新型的有益效果是:
1、由于采用了在轭铁设有贯穿上下表面的锥铆孔,在导磁片设有锥铆凸苞,将导磁片贴在轭铁的下表面并使导磁片的锥铆凸苞插进轭铁的锥铆孔中,并通过锥铆方式使导磁片的锥铆凸苞胀开贴紧在轭铁的锥铆孔的孔壁处,这种轭铁和导磁片之间的固定方式,使得铆接结构不受导磁片及轭铁镀层以及苞点公差的影响,具有工艺可行性优良,磁路一致性好的特点,并可大大提高产品生产效率,降低产品的报废率。
2、由于采用了在导磁片还设有防转/定位凸苞,通过与轭铁的凹槽相配合,一方面能够实现导磁片与轭铁之间的定位,另一方面还能实现导磁片与轭铁之间的防转。
3、由于采用了将锥铆孔设计成大孔,将圆形盲孔设计成小孔,可以提高模具的寿命。
4、由于采用了在导磁片设有二个用来对磁钢的插装进行定位的第一定位凸苞,对磁钢向里侧方向移动进行限位,在轭铁的台阶上侧的下表面处设有二个第二定位凸苞,且两个第二定位凸苞分别处在磁钢的两边的位置以形成对所述磁钢进行预置方向(左右方向)的限位,使得产品装配一致性较好,并且提高了效率。
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详细说明;但本实用新型的一种电磁继电器的磁路结构不局限于实施例。
附图说明
图1是现有技术的电磁继电器的磁路结构的局部构造示意图;
图2是图1所示磁路结构的构造分解示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门宏发电声股份有限公司,未经厦门宏发电声股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420525334.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。