[实用新型]浪涌电流抑制电路及带浪涌电流抑制的电源电路有效
申请号: | 201420160692.1 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN203774776U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 曹斌芳;王文虎;李建奇;邓志宏;胡惟文 | 申请(专利权)人: | 湖南文理学院 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02M7/06 |
代理公司: | 东莞市展智知识产权代理事务所(普通合伙) 44308 | 代理人: | 杨琳 |
地址: | 415000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 浪涌 电流 抑制 电路 电源 | ||
1.一种浪涌电流抑制电路,其特征在于,包括:串接交流输入电源的火线与零线之间的电阻R1和电阻R2;与电阻R1并联的电容支路;栅极连接电阻R1与电阻R2的公共端、源极连接交流输入电源的火线、漏极作为输出端的MOS晶体管Q1;连接在MOS晶体管Q1的源极与漏极之间的电阻R5。
2.根据权利要求1所述浪涌电流抑制电路,其特征在于,抑制电路还包括串接交流输入电源的火线与零线之间的电阻R3和电阻R4,且电阻R3与电阻R1并联,电阻R4与电阻R2并联。
3.根据权利要求1所述浪涌电流抑制电路,其特征在于,电容支路包括串接的电容C1和电容C2。
4.根据权利要求1所述浪涌电流抑制电路,其特征在于,MOS晶体管Q1为P型MOS晶体管。
5.据权利要求1所述浪涌电流抑制电路,其特征在于,阻R5的阻值大于或等于交流输入电源除以电源电路允许的最大启动浪涌电流。
6.一种带浪涌电流抑制的电源电路,包括依次连接的浪涌电流抑制电路、降压电路、整流电路和防雷电路,其特征在于,浪涌电流抑制电路包括:串接交流输入电源的火线与零线之间的电阻R1和电阻R2,与电阻R1并联的电容支路;栅极连接电阻R1与电阻R2的公共端、源极连接交流输入电源的火线、漏极连接降压电路的MOS晶体管Q1;连接在MOS晶体管Q1的源极与漏极之间的电阻R5。
7.根据权利要求6所述带浪涌电流抑制的电源电路,其特征在于,抑制电路还包括串接交流输入电源的火线与零线之间的电阻R3和电阻R4,且电阻R3与电阻R1并联,电阻R4与电阻R2并联。
8.根据权利要求6所述带浪涌电流抑制的电源电路,其特征在于,防雷电路包括:连接在整流电路的两个输出端之间的电容C3;连接在整流电路的正输出端与地之间的两极气体放电管Q1以及瞬态抑制二极管TVS1;连接在两极气体放电管Q1与瞬态抑制二极管TVS1之间的可变电阻R9。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南文理学院,未经湖南文理学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420160692.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。