[发明专利]一种高横向效应织构化压电聚合物薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410553618.0 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN105576117A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 郭栋;王云丽;陈小随;张翠红 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: H01L41/193 分类号: H01L41/193;H01L41/45
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 王宇杨;王敬波
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 横向 效应 织构化 压电 聚合物 薄膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及压电聚合物和压电器件领域,具体涉及一种高横向效应织构化压电 聚合物薄膜及其制备方法。

背景技术

柔性压电材料种类较少,主要是具有铁电性的β相结构含氟聚合物聚偏二氟乙烯 (PVDF)和聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))。该类材料因具有重量 轻、柔韧性好、可大面积成膜及低温制备等无机压电材料无法比拟的诸多优点,在 特种声学换能器、传感器、纳米电机和储能系统等中具有广阔应用。聚合物具有多 构型、多构象及部分结晶性等复杂结构特性。织构是指晶体材料的晶格沿着特定方 向择优排列的结构现象,对于结晶性聚合物来说,织构是指分子具有择优取向的结 构。压电聚合物的宏观压电性源于分子偶极的定向排列,因此分子偶极的取向对聚 合物的压电性有至关重要的影响。织构化的聚合物具有很多物理特性,如各向异性。 织构化的压电聚合物在特定方向的压电铁电效应会明显增强,该特性可用于相关器 件性能的优化以及新器件的设计制备。制备织构化或分子择优取向聚合物的方法可 粗略分为三类:机械法(如应力和摩擦转换等)、物理法(如高压电纺丝等)和物 理化学法(如界面作用和控制结晶等)。例如,通过高压电纺丝的物理方法制备的 偶极矩沿轴向择优取向的PVDF纤维可用于制备柔性纳米电机(NanoEnergy,Vol.1, pp.356~371)。然而,压电聚合物在各种换能器和传感器中更多地需制成薄膜使用, 这些机械方法及物理方法不适合很多压电薄膜器件如加速度器等的制备。第三类物 理化学方法具有设备简单、易于操作、易于与器件制作集成等诸多优点,然而该类 方法用于制备织构化压电聚合物薄膜的研究未见报道。

因此,根据性能需要控制分子沿所需方向择优取向的织构化压电聚合物薄膜, 对改善特定方向压电性、提高材料性能及优化器件设计有重要意义。而通过物理化 学方法制备织构化的压电聚合物薄膜,则具有设备简单、操作简便、易于工业化等 优点。

发明内容

本发明提供了一种具有高横向效应的织构化压电聚合物薄膜,可用于改进现有压 电薄膜器件的特定性能和新器件设计制备。本发明还提供了一种通过溶液沉积和非 等温结晶过程控制的高横向效应织构化压电聚合物薄膜的简单制备方法。

本发明提出的高横向效应织构化压电聚合物薄膜,所述的压电聚合物薄膜的厚 度为50nm~2μm,该薄膜由聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物制成,其中所述的聚偏二 氟乙烯-三氟乙烯共聚物中偏二氟乙烯的摩尔含量为50%~82%,优选为65%~80%。

所述的织构化压电聚合物薄膜的制备方法,包括以下步骤:

(1)将聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)溶解在有机溶剂中,得到浓 度为1.0wt%~10.0wt%的溶液,优选为2.0wt%~6.0wt%,其中所述的聚偏二氟乙烯- 三氟乙烯共聚物中偏二氟乙烯的摩尔含量为50%~82%,优选为65%~80%,且所述的 有机溶剂为聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物的良溶剂;

(2)将待旋涂压电聚合物薄膜的无机基片或有机基片依次于异丙醇、丙酮、去 离子水或无水乙醇二者之一中超声清洗,也可采用其它常用清洗剂及清洗方式清洗。 然后将清洗后的基片置于匀胶机转盘上,真空吸附固定基片后,用氮气(N2)吹干 基片,也可采用其它常用惰性气体,如氩气(Ar)等,但不仅限于此;

(3)将步骤(1)中得到的待旋涂溶液滴加至步骤(2)中吹干后的基片上,以 特定旋涂转速和旋涂时间旋涂薄膜,旋涂转速为1000~2000r/min,旋涂时间为30~240 s;

(4)将步骤(3)中旋涂后得到的薄膜样品置于加热台上,在薄膜的熔融温度 (Tm)以上进行退火处理,退火温度为145~160℃,退火时间为15~240min;

(5)退火完毕后,将步骤(4)中所得薄膜立刻放置于室温环境进行冷却,在 此过程中聚合物进行非等温结晶形成具有平躺片晶的高横向效应织构化压电聚合物 薄膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院声学研究所,未经中国科学院声学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410553618.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top