[发明专利]一种蓝宝石晶片清洗工艺

权利要求书

1.一种蓝宝石晶片清洗工艺，在超声波清洗机中对蓝宝石晶片进行清洗，其特征是包括如下步骤：

第一步、去油污，用加热至80±5℃的氢氧化钠溶液进行超声波清洗；

第二步、喷淋，用常温去离子水进行喷淋；

第三步、去脏污，用加热至80±5℃的水基环保清洗剂进行超声波清洗；

第四步、喷淋，用常温去离子水进行喷淋；

第五步、除残留，用加热至65±5℃、质量分数为5-10％的水基环保清洗剂进行超声波清洗；

第六步、喷淋，用65±5℃的去离子水喷淋；

第七步、超声波清洗，用65±5℃的去离子水进行超声波清洗；

第八步、慢拉脱水，用75±5℃的去离子水对蓝宝石晶片进行浸泡加热，然后从去离子水中拉出进行脱水；

第九步、烘干，使用温度在110±10℃、尘埃粒子含量达到Class1000无尘室标准的空气对晶片表面进行烘干。

2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：完成第九步后，通过离子风机对烘干后的蓝宝石晶片表面进行去静电处理，要求蓝宝石晶片表面静电在36V以下。

3.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：在所有的清洗步骤中，所述蓝宝石晶片进行频率20次/min的抛动。

4.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所述第一步去油污清洗中，先进行粗洗去油污，后进行精洗去油污；其中粗洗去油污采用质量分数为5-10％、温度在80±5℃的氢氧化钠溶液，精洗去油污采用质量分数为2-5％、温度在80±5℃的氢氧化钠溶液。

5.根据权利要求4所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所述第一步去油污清洗中设定超声波频率为28KHZ，粗洗去油污和精洗去油污分别清洗180秒。

6.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所述第三步去脏污清洗中，先进行粗洗去脏污，后进行精洗去脏污；其中粗洗去脏污采用质量分数为5-10％、温度在80±5℃的碱性水基环保清洗剂溶液，精洗去脏污采用质量分数为2-5％、温度在80±5℃的碱性水基环保清洗剂溶液。

7.根据权利要求6所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所述第三步去脏污清洗以及第五步中除残留清洗中均设定超声波频率为40KHZ，粗洗去脏污、精洗去脏污和除残留分别清洗180秒。

8.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所述第七步中的超声波清洗包括在三个单独的清洗槽中分三次清洗，每一次均在40KHZ的超声波环境下清洗180秒。

9.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所有涉及去离子水的清洗步骤中，均采用超纯水电阻率≥15MΩ·CM的去离子水，并且循环过滤使用，循环进水量为3-5L/min。

10.根据权利要求1或2所述的一种蓝宝石晶片清洗工艺，其特征是：所有步骤均在千级无尘室的标准下进行。