[发明专利]一种抗干扰的电流镜像电路有效
申请号: | 201410342642.X | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN104133518A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 张晋芳;唐永生;王勇 | 申请(专利权)人: | 北京集创北方科技有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 100088 北京市海淀区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗干扰 电流 电路 | ||
技术领域
本发明属于集成电路领域,涉及一种具有干扰抑制滤波功能的镜像电流源。
背景技术
各种镜像电流源在集成电路领域广泛使用,基本的电流镜像电路包括一个电流镜像输入晶体管/场效应管M1,一个电流镜像输出晶体管/场效应管M2,每个晶体管都包括第一端、第二端以及栅极端子,M1的栅极与M2的栅极相连,M1的第一端与电源电压端相连,第二端与栅极端子相连,M2的第一端与电源电压端相连,第二端产生镜像电流输出信号。第一端、第二端均可配置为源极端和漏极端中任意一个,公开号为CN101375499A,CN101252131A的专利文件均披露了类似的电流镜像电路。
在上述文件介绍的电流镜像电路中,当输入端包括噪声尤其是高频信号时,噪声会传导到输出端,引起不期望的高频振荡,在图1所述的电流镜像电路中,M1为镜像输入MOS管,M2为镜像输出MOS管,M1,M2的第一端配置为源极端,第二端配置为漏极端,因此M1,M2的源极与电压端相连,偏置电流源IIN位于M1的漏极与接地端之间,根据MOS管饱和区电流公式:
其中,K=μCox,μ为电子迁移率,Cox为单位氧化层电容,W/L为沟道绝缘层宽长比,VTH为开启电压。由于两管对称配置,M1和M2的开启电压相等,因此输出电流的大小为:
由公式(2)可知,输出电流IOUT与输入电流IIN呈沟道绝缘层宽长比的倍数相关的镜像关系。传统的电流镜像源由于非理想输入、输出电阻等影响而存在噪声,影响输出信号的精度。为了抑制噪声,通常在图1中A端和B端之间插入一个低通滤波器LPF1,图1中此滤波器是一阶滤波,滤波器的设计不局限于图中的结构,根据实际情况也可以采用多阶滤波,A点的噪声经过低通滤波器LPF1之后大量衰减,B点可以得到较理想的信号,理想情况为VB=VA,然后通过M2产生去噪后的镜像电流输出信号。
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