[发明专利]一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法在审
申请号: | 201410187029.5 | 申请日: | 2014-05-06 |
公开(公告)号: | CN105084885A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 宋远强;游钦禄 | 申请(专利权)人: | 游钦禄;宋远强 |
主分类号: | C04B35/453 | 分类号: | C04B35/453;H01C7/112;H01C17/30 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化锌 压敏电阻 介质 材料 电阻器 制备 方法 | ||
1.一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法,其特征在于,主成分包括78~96%的ZnO、所添加的氧化物含量为0.1~6.2%的Bi2O3、0.1~2.0%的CoO、0.3~2.5%的MnO、0.1~1.5%的Sb2O3、0.1~1.5%的Cr2O3、0.5~5.6%的TiO2、0.1~1.0%的In2O3、0.5~3.8%的Ni2O3、0.1~1.5%的ZrO2、0.2~2.0%的SiO2,上述氧化物组分含量均为质量百分比含量,添加两种以上的氧化物配制而成。
2.根据权利要求1,一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法,其特征在于具体实施例1~9的制备方法配料表一:所构成的材料配方。
实施例1~9的制备方法配料表一:
3.根据权利要求1所述,一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法,其特征在于,主成分包括78~96%的ZnO、所添加的氧化物含量为0.1~6.2%的Bi2O3、0.1~2.0%的CoO、0.3~2.5%的MnO、0.1~1.5%的Sb2O3、0.1~1.5%的Cr2O3、0.5~5.6%的TiO2、0.1~1.0%的In2O3、0.5~3.8%的Ni2O3、0.1~1.5%的ZrO2、0.2~2.0%的SiO2,上述氧化物组分含量均为质量百分比含量,添加两种以上的氧化物配制而成。获得的优良电性能指标:规定电流下的电压分别为:V1mA(V)=200V/mm、200V/mm、380V/mm、480V/mm、543V/mm、610V/mm、750V/mm、900V/mm、1200V/mm。非线性系数α=48、55、60、65、70、75、80。漏电流IL=0.2~1.0μA。
4.一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法,其特征在于,具体实施方式步骤12.的烧结工艺条件为:升温速率4~6℃/分,烧结温度850~1160℃,保温时间1~4小时。
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