[发明专利]具有噪声拆分的放大器有效
申请号: | 201380054734.1 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN104737443B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | R·许;L-C·常 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/19 | 分类号: | H03F3/19;H03F1/22;H03F3/72;H03F3/21;H03F1/26;H03F3/24;H03F3/68 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 亓云 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器电路 互连电路 射频( RF )信号 耦合 放大器 电流缓冲器 增益电路 噪声 接收输入 内部节点 无线设备 噪声指数 闭合 输出端 短接 集成电路 | ||
公开了具有噪声拆分以改善噪声指数的放大器。在示例性设计中,一种装置(例如,无线设备、集成电路等)包括多个放大器电路(550a、550b、550m)和至少一个互连电路(580a、580b)。这些放大器电路(550a、550b、550m)接收输入射频(RF)信号(RFin)。(诸)互连电路(580a、580b)被耦合在多个放大器电路(550a、550b、550m)之间。每个互连电路(580a、580b)被闭合以短接耦合至该互连电路(580a、580b)的两个放大器电路的输出端或内部节点。该多个放大器电路(550a、550b、550m)可包括耦合至多个电流缓冲器(570a、570b、570m)的多个增益电路(560a、560b、560m),每个放大器电路具有一个增益电路和一个电流缓冲器。
技术领域
本公开一般涉及电子器件,尤其涉及放大器。
背景技术
无线通信系统中的无线设备(例如,蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据以用于双向通信。无线设备可包括用于数据传输的发射机以及用于数据接收的接收机。对于数据传输,发射机可以用数据来调制射频(RF)载波信号以获得经调制RF信号,放大经调制RF信号以获得具有恰当输出功率电平的经放大RF信号,并经由天线将该经放大的RF信号发射到基站。对于数据接收,接收机可经由天线获得收到RF信号并且可放大和处理该收到RF信号以恢复由基站发送的数据。
无线设备可支持载波聚集,其是多个载波上的同时操作。载波可指被用于通信的频率范围并且可与某些特性相关联。例如,载波可与描述该载波上的操作的系统信息相关联。载波也可被称为分量载波(CC)、频率信道、蜂窝小区等。期望无线设备高效地支持载波聚集。
发明内容
本公开提供了一种单输入多输出SIMO低噪声放大器LNA,包括:多个放大器电路,被配置成接收输入射频RF信号;以及至少一个互连电路,被配置成短接耦合至至少一个互连电路的多个放大器电路中的至少两个放大器电路,其中多个放大器电路包括第一和第二放大器电路,第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管,而第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管,以及其中至少一个互连电路包括:第三共源共栅晶体管,其耦合在第一增益晶体管的漏极与第二共源共栅晶体管的漏极之间;以及第四共源共栅晶体管,其耦合在第二增益晶体管的漏极与第一共源共栅晶体管的漏极之间;或者耦合在第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关,开关在第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。
本公开还提供一种用于执行信号放大的方法,包括:将输入射频RF信号施加于多个放大器电路;启用多个放大器电路中的至少一个放大器电路以放大输入RF信号并且提供至少一个输出RF信号;以及当多个放大器电路被启用时短接多个放大器电路,其中多个放大器电路包括第一和第二放大器电路,第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管,而第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管,以及其中短接包括利用耦合在第一增益晶体管的漏极与第二共源共栅晶体管的漏极之间的第三共源共栅晶体管以及耦合在第二增益晶体管的漏极与第一共源共栅晶体管的漏极之间的第四共源共栅晶体管;或者耦合在第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关,开关在第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。
本公开还提供了相应的设备。
附图说明
图1示出了无线设备与无线系统通信。
图2A到2D示出了载波聚集(CA)的四个示例。
图3示出了图1中的无线设备的框图。
图4示出了没有噪声拆分的单输入多输出(SIMO)低噪声放大器(LNA)。
图5示出了在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA。
图6A到7C示出了在电流缓冲器输出端处具有噪声拆分的SIMO LNA的一些示例性设计。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380054734.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。