[发明专利]封装的射频晶体管器件

说明书

相关申请

本申请是2007年6月22日递交的标题为“RF Transistor Packages With Internal Stability Network And Methods Of Forming RF Transistor Packages With Internal Stability Networks”的美国专利申 请序号第11/767,172号的部分继续申请，该美国专利申请的公开内容 由此通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明总体上涉及射频晶体管，更具体地，本发明涉及具有匹配 网络的封装的射频晶体管以及形成具有匹配网络的封装的射频晶体管 的方法。

背景技术

封装的射频功率器件典型地包括装配在基板上并封入在封装内的 晶体管管芯。通过从封装外部延伸到封装内部的射频输入引线将射频 输入信号供应给晶体管，并通过从封装内部延伸到外部的射频输出引 线来从所述器件传送射频输出信号。在封装内可以包括输入匹配电 路，并且输入匹配电路可以连接在射频输入引线与射频晶体管的输入 端子之间。输入匹配电路在晶体管的输入端提供了在晶体管的基本工 作频率处的阻抗匹配。

发明内容

根据一些实施例的封装的射频晶体管器件包括：包括多个射频晶 体管单元的射频晶体管管芯；耦合到所述多个射频晶体管单元的射频 输入引线；射频输出引线；以及耦合在所述多个射频晶体管单元和所 述射频输出引线之间的输出匹配网络。所述输出匹配网络包括具有相 应的上部电容器板的多个电容器，其中所述电容器的所述上部电容器 板耦合到所述射频晶体管单元中的相应的射频晶体管单元的输出端 子。

所述封装的射频晶体管器件还可以包括耦合到所述射频输出引线 的组合器，其中所述输出匹配网络还包括在所述射频晶体管单元中的 相应的射频晶体管单元与所述电容器中的相应的电容器的上部电容器 板之间的第一线接合、以及在所述电容器中的相应的电容器的上部电 容器板与所述组合器之间的第二线接合。

所述封装的射频晶体管器件还可以包括容纳所述射频晶体管管芯 和所述输出匹配网络的封装，并且所述射频输入引线和所述射频输出 引线从所述封装延伸。

所述封装的射频晶体管器件还可以包括基板，其中所述射频晶体 管管芯在所述射频输入引线与所述射频输出引线之间安装在所述基板 上，以及其中所述多个电容器被提供作为在所述射频晶体管与所述射 频输出引线之间在所述基板上的电容器块。

所述电容器块可以包括公共的基准电容器板和在所述基准电容器 板上的电介质层，并且所述上部电容器板在所述电介质层上。

所述上部电容器板中的相邻的上部电容器板可以通过导电连接件 耦合在一起。

所述导电连接件可以包括在所述电介质层上的接触所述上部电容 器板中的相邻的上部电容器板的金属带。所述金属带可以具有小于支 持所述电介质层中的谐振模式所需要的宽度的宽度。

所述上部电容器板可以被沿着第一方向布置，并且其中所述金属 带可以具有沿着横穿所述第一方向的第二方向的宽度，所述宽度至少 小于所述电容器块的沿着所述第一方向的长度的五分之一。

所述上部电容器板中的相邻的上部电容器板可以通过电阻性连接 件耦合在一起。所述电阻性连接件可以具有大于1E-5欧姆厘米且在 一些实施例至大于约1E-4欧姆厘米的电阻率。

所述多个电容器包括多个分立的器件，所述多个分立的器件包括 分离的基准电容器板和分离的电介质层。

所述的封装的射频晶体管器件还可以包括耦合在所述射频输入引 线和所述多个射频晶体管单元之间的输入匹配网络。所述输入匹配网 络包括多个具有相应的第二上部电容器板的第二电容器，并且所述第 二电容器的第二上部电容器板可以耦合到所述射频晶体管单元中的相 应的射频晶体管单元的输入端子。

所述多个第二电容器可以被提供作为电容器块，所述电容器块包 括公共的基准电容器板和在所述基准电容器板上的电介质层。所述第 二上部电容器板可以在所述电介质层上。