[实用新型]一种带双反馈结构的宽带混频器

权利要求书

1.一种应用于宽带接收机带双反馈结构的宽带混频器，其特征是包括射频跨导放大器级、本振开关级、中频输出级、电流溢出级、第一反馈环路LP1和第二反馈环路LP2；

本宽频带混频器的射频输入信号、本振信号和中频输出信号都为差分信号；其中，设射频输入信号为RF+和RF-，中频输出信号为IF+和IF-，本振信号为LO+和LO-；另，设八个节点分别为第1、2、3、4、5、6、7和8节点；

射频跨导放大器级由NMOS晶体管M1和M2构成；射频输入信号RF+接于第1节点，射频输入信号RF-接于第2节点，晶体管M1的源级和第1节点相连，M1的栅极接于第3节点，晶体管M2的源级接于第2节点，晶体管M2的栅极接于第4节点；

本振开关级由NMOS晶体管M3、M5、M4和M6构成；晶体管M3的漏极和晶体管M5的漏极都连接到中频输出信号IF+端，晶体管M4的漏极和晶体管M6的漏极都连接到中频输出信号IF-端，晶体管M3的栅极和晶体管M6的栅级都连接到本振信号LO+端，晶体管M4的栅极和晶体管M5的栅级都连接到本振信号LO-端；

中频输出级由两个负载阻抗Z1和Z2构成，第一负载阻抗Z1的两端分别接于中频输出信号IF+端和供电电源VCC，第二负载电阻Z2的两端分别接于中频输出信号IF-和供电电源VCC；

射频输入信号经跨导放大级放大后和本振信号相混频，产生中频电流信号，中频电流信号通过中频输出级输出中频电压信号；

电流溢出级由PMOS晶体管P1和P2组成，晶体管P1的源级接于供电电源VCC，晶体管P1的栅极连于第7节点，晶体管P1的漏极接于第5节点；晶体管P2的源级接于供电电源VCC，晶体管P2的栅极接于第8节点，晶体管P2的漏极接于第6节点；

第一反馈环路LP1由反馈电容C1和C2构成，电容C1两端分别接于第3节点和第2节点，电容C2两端分别接于第1节点和第4节点；射频输入信号RF+接于第1节点，射频输入信号RF-接于第2节点；

第二反馈环路LP2由反馈电容C3和C4构成，电容C3两端分别接于第6节点和第7节点，电容C4两端分别接于第5节点和第8节点。

2. 根据权利要求1所述的应用于宽带接收机带双反馈结构的宽带混频器，其特征是所述的负载阻抗Z1和Z2是电阻、电感、电容或晶体管；或者是由电阻、电感、电容或晶体管中的两个或多个组合实现。