[实用新型]一种新型透明导电薄膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种导电薄膜，尤其涉及一种新型透明导电薄膜。

背景技术

ITO透明导电薄膜应用于电容式触摸屏时，要求成膜的ITO膜蚀刻并形成特定电极图案，蚀刻前后颜色差或反射差（▽R）较小，即相对于人眼无法辨别差异。

目前，触摸屏行业内ITO film基材一般采用折射率为1.58-1.6光学级PET,表面涂布折射率为1.45-1.5硬化层，可见光范围内平均反射率为约4％。与 ITO film导电薄膜膜系结构，一般为基材 1 +硬化层 2 +基材上表面粘接层 3 +高折射率层 4 +绝缘层 5 +导电层 6 。基材PET,折射率：1.58-1.6；硬化层：折射率1.49-1.55；粘接层SiO2或SiO2 与SiO混合物，折射率：1.47-1.6；高折射率层为Nb2O5或TiO2，折射率：2.0；导电层ITO,折射率：1.9-2.1。镀膜后反射率曲线，平均反射率10.3％-11.8％，回火后平均反射率在6％左右。

此种膜系结构工艺复杂导致良率较低，层数较多容易导致膜层龟裂等不良。

发明内容

本实用新型为了克服上述缺陷，目的在于提供一种新型透明导电薄膜，在于提高基材表面硬化层折射率，提高平均反射率并替代目前导电薄膜膜系结构中第三层高折射率层，硬化层表面只需镀制绝缘层及导电层。简化工艺复杂程度，减少膜层数。

本实用新型为了达到上述目的，采用如下技术方案：一种新型透明导电薄膜，该导电膜自下而上依次为基材、阻挡层、导电层；所述基材两面涂硬涂层，所述基材为柔性光学级PET，材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯。

所述硬涂层折射率为1.6至1.75，硬度标准为：镀膜面1H，镀膜背面2H，厚度为1μm-2μm。

所述阻挡层材料为SiOx或SixNyO，折射率区间为1.47至1.6，厚度为10nm-100nm。

所述导电层为ITO透明导电膜层，折射率为1.9至2.1，厚度为20nm-50nm，方阻为：50Ω-300Ω。

所述基材折射率为1.58,厚度范围20μm-200μm。

本实用新型与现有技术相比有如下技术优点：

1、本实用新型工艺及膜层结构简单，有效提高产品良率。

2、本实用新型提高基材表面硬化层折射率，提高平均反射率并替代目前导电薄膜膜系结构中第三层高折射率层，硬化层表面只需镀制绝缘层及导电层。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型基材镀膜前可见光内反射率曲线；

图3为本实用新型基材镀膜后可见光内反射率曲线。

具体实施方式

 为了详细叙述本实用新型专利的上述特点，优势和工作原理，下面结合说明书附图1、2、3和具体实施方式对本实用新型做进一步的说明，但本实用新型所保护的范围并不局限于此。

一种新型透明导电薄膜，该导电膜自下而上依次为基材1、阻挡层3、导电层4；所述基材1两面涂硬涂层2，所述基材1为柔性光学级PET，材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯。 

所述硬涂层2折射率为1.6至1.75，硬度标准为：镀膜面1H，镀膜背面2H，厚度为1μm-2μm。

所述阻挡层3材料为SiOx或SixNyO，折射率区间为1.47至1.6，厚度为10nm-100nm。

所述导电层4为ITO透明导电膜层，折射率为1.9至2.1，厚度为20nm-50nm，方阻为：50Ω-300Ω。

所述基材1折射率为1.58,厚度范围20μm-200μm。

本实用新型反射率提高至6％，代替目前导电膜系结构中高折射率层。硬化层表面直接镀制阻挡层，阻挡层表面镀制导电膜层。

采用卷绕镀膜设备镀制本实用新型导电薄膜，将表面涂有硬化层的PET放入真空系统进行抽真空，基材卷绕方向顺序为硅靶镀膜室，ITO靶镀膜室，本地真空达到2.0E-6时打开靶材电源，依次镀SiO2, ITO. 

    附图2为本实用新型基材反射率曲线，可见光范围平均反射率6％左右，基材表面分别镀制SiO2，ITO后反射率曲线见附图3所示，可见光范围内反射率8％左右，回火后可见光范围内反射率6％左右。

以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。