[实用新型]触控感应器及触控面板有效

专利信息
申请号: 201320046101.3 申请日: 2013-01-28
公开(公告)号: CN203178954U 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 许毅中;徐国书;黄邦熊 申请(专利权)人: 宸鸿科技(厦门)有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 感应器 面板
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及触控技术,尤指一种触控感应器及触控面板。

背景技术

触控面板(touch panel)作为资料沟通的界面工具,已被广泛应用于家庭用品、通讯装置及电子资讯装置等领域。

触控面板的轻薄化为其发展的重要方向,但其发展又受限于结构性能及制程工艺,具体来说,在追求触控面板的轻薄化时,一些解决方案中,希望通过降低触控面板内部各层级的厚度来实现,但由于要保证结构性能的的优良,某些层级结构的厚度受到限制,若是对层级结构所使用的材料进行替换,又将受限于制程工艺等因素,故寻找其中的平衡点是实现触控面板轻薄化的关键。

实用新型内容

本实用新型提供了一种触控感应器及一种触控面板,可在保证触控面板的优良性能的前提下,实现触控面板的轻薄化。

本实用新型提供一种触控感应器,其特征在于,包括:一第一导电元件;一第二导电元件,其中所述第二导电元件结晶氧化铟锡薄膜;以及一介电元件设置于所述第一导电元件与所述第二导电元件之间。

于一变化实施例中,所述介电元件的介电常数值大于或等于5,且小于或等于80。

于一变化实施例中,所述介电元件的厚度范围为大于等于0.05微米,且小于等于1微米。

于一变化实施例中,所述第一导电元件为结晶氧化铟锡薄膜。

于一变化实施例中,所述第一导电元件包含复数第一轴向电极及复数导电单元,所述第二导电元件包含复数电接线,其中所述第一轴向电极彼此电性绝缘,所述导电单元彼此相互绝缘,所述电接线电性连接两相邻的所述导电单元,以形成复数第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述第一导电元件包含复数电接线,所述第二导电元件包含复数第一轴向电极及复数导电单元,其中所述第一轴向电极彼此电性绝缘,所述导电单元彼此相互绝缘,所述电接线电性连接两相邻的所述导电单元,以形成复数第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述介电元件由复数绝缘块组成,所述绝缘块对应设置于所述电接线与所述第一轴向电极之间,以电性绝缘所述第一轴向电极与所述第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述介电元件覆盖所述第一导电元件,且于所述电接线与所述导电单元连接处设置相应穿孔。

于一变化实施例中,所述第一导电元件包含复数第一轴向电极,所述第一轴向电极相互绝缘,所述第二导电元件包含复数第二轴向电极,所述第二轴向电极相互绝缘,其中所述介电元件设置于所述第一轴向电极与所述第二轴向电极之间,以电性绝缘所述第一轴向电极与所述第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述第一导电元件及/或所述第二导电元件为在温度为大于或等于160摄氏度的环境中溅镀成膜的结晶氧化铟锡薄膜。

于一变化实施例中,所述介电元件材料为氮化硅、三氧化二铝、铪硅氧化物、三氧化二钇、氧化钽、氧化锆、二氧化铪、镧铝氧化物、二氧化钛及其混合物中的一种。

此外,本实用新型另提供一种触控面板,其特征在于,包括:一触控感应器,包含一第一导电元件;一第二导电元件,其中所述第二导电元件为结晶氧化铟锡薄膜;以及一介电元件设置于所述第一导电元件与所述第二导电元件之间;一基板,所述第一导电元件设于所述基板上。

于一变化实施例中,所述介电元件的介电常数值大于或等于5,且小于或等于80。

于一变化实施例中,所述介电元件的厚度范围为大于等于0.05微米,且小于等于1微米。

于一变化实施例中,所述第一导电元件为结晶氧化铟锡薄膜。

于一变化实施例中,所述第一导电元件包含复数第一轴向电极及复数导电单元,所述第二导电元件包含复数电接线,其中所述第一轴向电极彼此电性绝缘,所述导电单元彼此相互绝缘,所述电接线电性连接两相邻的所述导电单元,以形成复数第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述介电元件由复数绝缘块组成,所述绝缘块对应设置于所述电接线与所述第一轴向电极之间,以电性绝缘所述第一轴向电极与所述第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述介电元件覆盖所述第一导电元件,且于所述电接线与所述导电单元连接处设置相应穿孔。

于一变化实施例中,所述第一导电元件包含复数第一轴向电极,所述第一轴向电极相互绝缘,所述第二导电元件包含复数第二轴向电极,所述第二轴向电极相互绝缘,其中所述介电元件设置于所述第一轴向电极与所述第二轴向电极之间,以电性绝缘所述第一轴向电极与所述第二轴向电极。

于一变化实施例中,所述基板为一强化玻璃板。

于一变化实施例中,所述第一导电元件及/或所述第二导电元件为在温度为大于或等于160摄氏度的环境中溅镀成膜的结晶氧化铟锡薄膜。

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