[实用新型]铁电薄膜电容

说明书

技术领域

本实用新型涉及用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。

背景技术

铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它采用人工合成的铅锆钛PZT材料形成存储器结晶体。铁电存储器在掉电后仍然能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。因此，与闪存和EEPROM等较早期的非易失性内存技术比较，铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。

PZT铁电电容作为铁电存储器的主要存储介质，具有较大的疲劳速率和较差的漏电流特性，由于在金属Pt上制备的铁电薄膜结晶性能较差，使得PZT铁电电容的性能差，漏电流大。

发明内容

本实用新型是为了解决现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题，提供了一种铁电薄膜电容。

本实用新型所述铁电薄膜电容，它包括硅基底层，它还包括六个上电极、六个上电极缓冲柱、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层和阻挡层；

所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为400nm至480nm；

硅基底层上由下至上顺次粘接固定阻挡层、下电极层、下电极缓冲层和铁电薄膜层，铁电薄膜层的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱，每个上电极缓冲柱上均设置一个上电极。

所述上电极为铝电极，下电极层为铂电极层。

本实用新型的优点：本实用新型所述铁电薄膜电容的结晶性能好，具有良好的疲劳特性及铁电性，漏电流较小。

本实用新型所述铁电薄膜电容在制备的时候，所需硅基底层的温度较低，与集成工艺的兼容性好。

附图说明

图1是本实用新型所述铁电薄膜电容的结构示意图。

具体实施方式

具体实施方式一：下面结合图1说明本实施方式，本实施方式所述铁电薄膜电容，它包括硅基底层1，它还包括六个上电极2、六个上电极缓冲柱3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6和阻挡层7；

所述铁电薄膜层4为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层4的厚度为400nm至480nm；

硅基底层1上由下至上顺次粘接固定阻挡层7、下电极层6、下电极缓冲层5和铁电薄膜层4，铁电薄膜层4的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱3，每个上电极缓冲柱3上均设置一个上电极2。

本实施方式中，上电极缓冲柱3和下电极缓冲层5均采用超大磁电阻材料制成；上电极缓冲柱3的厚度为120-180nm；下电极缓冲层5的厚度为10-15nm；阻挡层7为二氧化硅阻挡层。

具体实施方式二：本实施方式为对实施方式一的进一步说明，本实施方式所述上电极2为铝电极，下电极层6为铂电极层。

本实施方式中，下电极层6的厚度为120-180nm，上电极2的厚度为100-120nm。