[发明专利]一种放大器系统及通信设备有效
申请号: | 201310698975.1 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN104734647B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 陈化璋;张璠;崔晓俊 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F3/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 静态工作电流 放大器系统 两级放大器 功放效率 预设 通信设备 顺序连接 通信领域 链路线 功放 保证 | ||
本发明提供了一种放大器系统及通信设备,涉及通信领域,解决现有技术中放大器功放效率不高的问题,该放大器系统包括:顺序连接的至少两级放大器,其中,所述至少两级放大器中第N级放大器的静态工作电流值为第一值调小第一预设倍数后的值,且第N‑1级放大器的静态工作电流值为第二值调大第二预设倍数后的值;所述第一值为所述第N级放大器对应的静态工作电流推荐值,N为大于或者等于2的任一整数;所述第二值为所述第N‑1级放大器对应的静态工作电流推荐值。本发明的方案在保证功放链路线性的条件下,有效提高了功放效率。
技术领域
本发明涉及通信领域,特别涉及一种放大器系统及通信设备。
背景技术
随着移动通讯的飞速发展,功率放大电路在基站、移动终端中的应用越来越广,级联应用场合愈来愈多,效率和线性指标要求越来越高。如何满足放大电路的线性要求并不断提升效率已经成为功放设计新的挑战。
作为目前业界主流的器件,横向扩散金属氧化物半导体LDMOS场效应管凭借其良好的性能指标、可靠的稳定性等优势已经得到了广泛的应用。而LDMOS场效应管的工作特性之一,是LDMOS的增益特性会随着静态工作电流的变化而变化,即LDMOS场效应管的静态工作电流决定增益形状。图1和图2为不同功率等级的LDMOS场效应管的典型增益曲线。
由LDMOS场效应管增益曲线可以看出,LDMOS场效应管的静态工作电流对其放大特性均有显著的影响,特别是当输入功率较小时。同时,该特性不随LDMOS场效应管功率等级的不同而变化。
目前业界常采用级联LDMOS场效应管以实现功率放大,并对每一级LDMOS场效应管按照推荐静态工作电流设置,以保证各级LDMOS场效应管的大小信号增益一致。虽然此种方式能保证级联放大器的良好线性,但整体链路的效率不高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种放大器系统及通信设备,在保证功放链路线性的条件下,提高功放效率。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供一种放大器系统,包括:
顺序连接的至少两级放大器,其中,所述至少两级放大器中第N级放大器的静态工作电流值为第一值调小第一预设倍数后的值,且第N-1级放大器的静态工作电流值为第二值调大第二预设倍数后的值;
所述第一值为所述第N级放大器对应的静态工作电流推荐值,N为大于或者等于2的任一整数;
所述第二值为所述第N-1级放大器对应的静态工作电流推荐值。
其中,所述第N级放大器为所述至少两级放大器中功率容量最大的放大器。
其中,所述第N级放大器为所述至少两级放大器中位于最后一级的放大器。
其中,所述至少两级放大器均工作在AB类。
其中,所述至少两级放大器均为应用横向扩散金属氧化物半导体LDMOS场效应管的放大器。
其中,所述第一预设倍数及所述第二预设倍数均为0.4至0.6之间的任一数值。
其中,上述放大器系统还包括:
与所述至少两级放大器一一对应连接,用于控制所述放大器稳定性工作的至少两个偏置电路。
其中,所述偏置电路包括:
用于调整所述放大器栅极电压的电压调整单元;
与所述电压调整单元相连的温度补偿单元;
及与所述温度补偿单元相连的稳定性电阻。
其中,上述放大器系统还包括:
与所述至少两级放大器及所述至少两个偏置电路分别连接,用于给所述放大器及所述偏置电路供电的供电网络。
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