[发明专利]太阳能电池组件

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池组件。

背景技术

太阳能作为一种新兴绿色可再生能源，具有二氧化碳零排放、能量来源取之不绝的特点，如何保障太阳能电池实际发电输出成为人类能源战略的重要研究课题。随着光伏电站安装规模不断扩大，安装和使用环境的差异及不确定性逐渐显现，在监控光伏电站过程中发现了引发太阳能电池组件功率大幅降低的电势诱导衰减（Potential Induced Degradation，简称PID）现象。上述现象首次在2005年大面积被发现，其中最具有代表性的为美国知名晶体硅太阳能电池制造商Sunpower（中圣）公司发现其背接触高效电池片出现“表面极化”现象。如果在太阳能电池组件上施加相对于地面的1000V正向电压，在电场等作用下，漏电流会从太阳能电池片流向地面进而在太阳能电池片表面累积负电荷，这些负电荷会将玻璃中的正电荷（金属阳离子，如钠离子）沿电场方向迁移穿透封装材料迁移至太阳能电池片表面，在太阳能电池片表面形成复合中心，造成太阳能电池组件输出功率大幅降低，进而降低太阳能电池的发电性能。

发明内容

本发明旨在提供一种太阳能电池组件，以解决现有技术中太阳能电池组件出现PID现象的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种太阳能电池组件，包括依次叠置的背板层、第一封装材料层、电池片层、第二封装材料层以及玻璃层，第二封装材料层包括上封装材料层、下封装材料层以及用于阻挡玻璃层的金属阳离子进入电池片层的阻挡层，阻挡层设置在上封装材料层和下封装材料层之间。

进一步地，阻挡层为聚酰亚胺或熔点均大于等于100℃的聚乙烯或熔点均大于等于100℃的聚丙烯。

进一步地，阻挡层的厚度在5μm～200μm的范围之内。

进一步地，阻挡层的层数为一层。

进一步地，阻挡层的层数为多层，每层阻挡层的厚度大于或等于2μm。

进一步地，上封装材料层的厚度和下封装材料层的厚度之和与第二封装材料层的厚度之比在0.2～0.6的范围之内。

进一步地，电池片层为单晶体太阳能电池、类单晶电池、多晶硅太阳能电池或基于晶体硅的异质结电池。

进一步地，第一封装材料层、上封装材料层和下封装材料层均为EVA、PVB、TPU、PO或Inomer。

进一步地，背板层为玻璃、钢板或铝板。

应用本发明的技术方案，在上封装材料层和下封装材料层之间设置阻挡层，阻挡层能够阻挡玻璃层的金属阳离子进入到电池片层，这样避免了金属阳离子聚集在电池片层的表面，使电池片层的表面不易被钝化，进而避免产生PID现象，从而保证了光伏组件的正常功率的输出。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的太阳能电池组件的实施例的结构示意图。

上述附图包括以下附图标记：

10、背板层；20、第一封装材料层；30、电池片层；40、第二封装材料层；41、上封装材料层；42、阻挡层；43、下封装材料层；50、玻璃层。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

如图1所示，本实施例的太阳能电池组件包括依次叠置的背板层10、第一封装材料层20、电池片层30、第二封装材料层40以及玻璃层50，第二封装材料层40包括上封装材料层41、下封装材料层43以及用于阻挡玻璃层50的金属阳离子进入电池片层30的阻挡层42，阻挡层42设置在上封装材料层41和下封装材料层43之间。

应用本实施例的太阳能电池组件，在上封装材料层41和下封装材料层43之间设置阻挡层42，阻挡层42能够阻挡玻璃层50的金属阳离子进入到电池片层30，这样避免了金属阳离子聚集在电池片层30的表面，使电池片层30的表面不易被钝化，进而避免产生PID现象，从而保证了光伏组件的正常功率的输出。