[发明专利]一种流体压力传感器在审

专利信息
申请号: 201310611116.4 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN103604556A 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 王进朝;柳东强;郭玉刚;封玉军 申请(专利权)人: 无锡市纳微电子有限公司
主分类号: G01L9/06 分类号: G01L9/06;G01L27/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 214000 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 流体 压力传感器
【说明书】:

技术领域

发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种流体压力传感器。

背景技术

流体压力传感器内部使用基于硅基MEMS技术加工的压力传感器芯片,称为MEMS压力传感器芯片。在流体压力传感器中,当流体压力作用于MEMS压力传感器芯片上时,引起压力敏感膜片发生形变,压力敏感膜片上的压敏电阻由于压阻效应而产生电阻变化,从而导致压力感测元件中由压敏电阻组成的惠斯顿电桥产生电信号输出,实现了压力信号到电信号的转换。

现有技术中,流体压力传感器包含取样管和与取样管配合连接的壳体底座,在壳体底座中,设置有MEMS压力传感器芯片和校准芯片,MEMS压力传感器芯片和校准芯片分开设置在所述壳体底座中,因此占用传感器的空间较大。而且,在现有技术中,取样管和壳体底座限位配合后通过胶水密封,并不能保证固定的牢固度。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提出一种流体压力传感器,能够缩小流体压力传感器的体积。

为达此目的,本发明提供了一种流体压力传感器,包含取样管和与所述取样管配合连接的壳体底座,在所述壳体底座中设置有集成芯片,所述集成芯片由MEMS压力传感器芯片和校准芯片集成,并且所述MEMS压力传感器芯片和所述校准芯片相连接,其中,所述MEMS压力传感器芯片用于感测液体的压力并进行输出,所述校准芯片用于对所述MEMS压力传感器芯片的输出进行补偿。

优选地,所述MEMS压力传感器芯片包含:

衬底,其底部具有凹槽;

压力敏感膜片,位于所述凹槽上,并且可变形;

压力感测元件,位于所述压力敏感膜片上,具有二个以上压敏电阻,

并且,所述壳体底座具有与所述凹槽相配合的通气孔。

优选地,所述MEMS压力传感器芯片和所述校准芯片通过金丝电连接。

优选地,所述取样管和所述壳体底座通过卡扣或者螺旋配合的方式连接。

优选地,在所述取样管和所述壳体底座通过卡扣或者螺旋配合的方式进行连接后的结合处添加壳体粘结剂进行固定。

优选地,所述集成芯片表面设置有凝胶。

优选地,在所述壳体底座上所述通气孔周边设置限位块,所述限位块与所述压力敏感膜片之间具有预定距离,所述集成芯片通过位于所述限位块与所述MEMS压力传感器芯片的衬底之间的芯片粘结剂固定在所述壳体底座的底部上。

优选地,所述壳体底座的底部设置有金属导线,所述金属导线通过所述底部延伸到所述壳体底座外侧,形成与外部电路连接的端子。

优选地,所述MEMS压力传感器芯片和所述校准芯片通过金丝与所述金属导线连接。

本发明通过在流体压力传感器的壳体底座中设置MEMS压力传感器芯片和校准芯片集成的集成芯片,能够缩小流体压力传感器。

附图说明

图1是本发明实施例的流体压力传感器的正视图;

图2是本发明实施例的流体压力传感器的俯视图;

图3是本发明实施例的流体压力传感器的仰视图;

图4是本发明实施例的流体压力传感器的侧视图;

图5是本发明实施例的流体压力传感器沿A-A线的截面剖视图;

图6是本发明实施例的流体压力传感器沿B-B线的截面剖视图;以及

图7A和图7B是本发明实施例的流体压力传感器的取样管的示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

图1是本发明实施例的流体压力传感器的正视图;图2是本发明实施例的流体压力传感器的俯视图;图3是本发明实施例的流体压力传感器的仰视图;图4是本发明实施例的流体压力传感器的侧视图;图5是本发明实施例的流体压力传感器沿A-A′线的截面剖视图。

如图1至图5所示,本发明实施例提供了一种流体压力传感器,包含取样管1和与所述取样管1配合连接的壳体底座2,在所述壳体底座2中设置有集成芯片,所述集成芯片由MEMS压力传感器芯片212和校准芯片213集成,并且所述MEMS压力传感器芯片212和所述校准芯片213相连接,其中,所述MEMS压力传感器芯片212用于感测液体的压力,并将感测的压力信号转换为电信号进行输出,所述校准芯片213用于对所述MEMS压力传感器芯片212的输出进行补偿。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市纳微电子有限公司,未经无锡市纳微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310611116.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top