[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及修补方法有效
申请号: | 201310593815.0 | 申请日: | 2013-11-21 |
公开(公告)号: | CN103605243A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 衣志光;张骢泷 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 修补 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法,所述阵列基板包括:
基板;
多条共用电极配线,配置于所述基板上;
多条扫描线和数据线,交错配置在所述基板上以形成多个像素区域;
多个像素单元,配置于所述像素区域内,每个所述像素单元包括:
主像素电极和次像素电极,以及
电荷分享单元,其电性连接所述主像素电极和次像素电极,并包括用于使所述主像素电极与次像素电极产生电压差的电荷电容;
当所述电荷电容为瑕疵电容时,所述修补方法包括以下步骤:
将瑕疵电容的上电极或下电极与其周围连接的线路断开,以形成电性绝缘。
2.如权利要求1所述的修补方法,其特征在于,所述阵列基板的每一个像素单元电性连接两条扫描线和一条数据线,其中:
所述主像素电极和次像素电极,配置以在第一条扫描线扫描信号的驱动下分别接收数据线上的数据信号而具有相同的电压;
所述电荷分享单元,配置以在第二条扫描线扫描信号的驱动下改变所述次像素电极的电压,使其与所述主像素电极的电压产生差异。
3.如权利要求1或2所述的修补方法,其特征在于:利用激光将瑕疵电容的上电极或下电极与其周围连接的线路熔断。
4.如权利要求1或2所述的修补方法,其特征在于:所述上电极为透明导电层。
5.如权利要求4所述的修补方法,其特征在于:所述上电极和所述共用电极配线连接。
6.如权利要求1或2所述的修补方法,其特征在于:所述下电极和所述的数据线通过同一道光罩形成。
7.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
多条共用电极配线,配置于所述基板上;
多条扫描线和数据线,交错配置在所述基板上以形成多个像素区域;
多个像素单元,配置于所述像素区域内,每个所述像素单元包括:
主像素电极和次像素电极,以及
电荷分享单元,其电性连接所述主像素电极和次像素电极,并包括用于使所述主像素电极与次像素电极产生电压差的电荷电容,当所述电荷电容为瑕疵电容时,其上电极或下电极与其周围连接的线路断开而电性绝缘。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的每一个像素单元电性连接两条扫描线和一条数据线,其中:
所述主像素电极和次像素电极,配置以在所述第一条扫描线扫描信号的驱动下分别接收所述数据线上的数据信号而具有相同的电压;
所述电荷分享单元,配置以在所述第二条扫描线扫描信号的驱动下改变所述次像素电极的电压,使其与所述主像素电极的电压产生差异。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述电荷分享单元包括:
薄膜晶体管,其栅极电性连接所述第二条扫描线,漏极电性连接所述次像素电极,源极与所述共用电极配线耦合形成所述电荷电容。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述电荷分享单元的薄膜晶体管的源极还与所述主像素电极耦合形成另一个电荷电容。
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