[发明专利]一种核酸适配体基光电化学检测汞离子的方法

权利要求书

1.一种核酸适配体基光电化学检测汞离子的方法，其特征在于：采用构建的“On-Off”型核酸适配体基光电化学传感器用于检测不同浓度的汞离子；所述“On-Off”型核酸适配体基光电化学传感器是基于槲皮素铜敏化苝四羧酸-氧化石墨烯异质结的光电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述“On-Off”型核酸适配体基光电化学传感器的构建方法为：

（1）制备苝四羧酸/氧化石墨烯异质结；

（2）取苝四羧酸/氧化石墨烯异质结溶液滴涂于玻碳电极表面于室温下晾干制得苝四羧酸/氧化石墨烯异质结修饰电极；

（3）将氨基化T碱基（适配体）固定于经EDC-NHS活化后的苝四羧酸/氧化石墨烯异质结修饰电极表面；

（4）接着用TE缓冲液淋洗其表面，然后，将0.25～1μmol L^-1的氨基化T碱基溶液滴涂其电极表面，于4℃下温育过夜后用TE缓冲液淋洗其表面；然后，取0.25～1μmol L^-1的Poly A溶液滴涂其电极表面，于37℃下温育后用TE缓冲液淋洗其表面；最后，将5～20μmol L^-1的槲皮素铜乙醇溶液滴涂其电极表面，于37℃下温育后用TE缓冲液淋洗其表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤（1）中苝四羧酸/氧化石墨烯异质结的制备方法如下：配制1×10^-4mol L^-1的苝四羧酸DMF溶液和1mg mL^-1的氧化石墨烯溶液，然后苝四羧酸溶液和氧化石墨烯溶液以5：1的体积比充分混合、静置，即生成苝四羧酸/氧化石墨烯异质结。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤（3）中修饰电极的活化方法如下：将20μL5mmol L^-1EDC和10mmol L^-1NHS的pH7.4的Tris-HCl溶液滴至苝四羧酸/氧化石墨烯异质结修饰电极表面，并于室温下活化1～2h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将构建好的“On-Off”型核酸适配体基光电化学传感器于0.1mol L^-1磷酸盐缓冲溶液中、在偏电位0.2V及大于450nm的光辐射下采用电流-时间技术检测不同浓度的汞离子。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述方法为超灵敏及特异性检测，检出限为3.3fmol L^-1。