[发明专利]一种掩模板在审
申请号: | 201310475998.6 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN104570588A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 曲连杰;史大为;郭建;王亮 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张颖玲;张振伟 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模板 | ||
技术领域
本发明涉及过孔形成技术,尤其涉及一种掩模板。
背景技术
现有技术中的掩模板大多采用如图1所示的结构:在具有热光电性能较稳定的衬底上通过工艺形成线性图形;通常衬底材料选用石英等透明介质,厚度为1cm左右,之后通过线性图形材料的沉积,一般线性图形材料使用不透过光的Cr、Mo等材料,通过光刻、显影、刻蚀、剥离等工序在衬底上形成不透明的图形,使用该掩模板可以将线性图形投影在基板上,完成图形的转印。
目前在TFT-LCD等电子产品的制造中,通常通过减小过孔的尺寸来满足高分辨率的要求,但是因为曝光机精度的限制,如果过孔的尺寸小于设备的精度,则会容易造成过孔形成不良;还可以通过提高曝光量来满足高分辨率的要求,但是因为提高曝光量会极大地损失产能。
发明内容
本发明主要提供一种掩模板,能够提高第一过孔的光透过率,提高产品的分辨率、增大过孔的开口率。
本发明的技术方案是这样实现的:
本发明提供的一种掩模板,该掩模板包括:透光区域和不透光区域,所述透光区域内设置有第一过孔,所述第一过孔的周围设置有第二光学增强辅助过孔;所述第二光学增强辅助过孔的尺寸小于曝光机的精度。
上述方案中,所述第二光学增强辅助过孔设置至少两个时,所述第二光学增强辅助过孔对称设置在第一过孔的周围。
上述方案中,所述第二光学增强辅助过孔的几何重心在第一过孔中心所在的纬度线或者经度线上。
上述方案中,所述第二光学增强辅助过孔全包围或半包围在第一过孔的边缘。
上述方案中,所述第二光学增强辅助过孔与第一过孔同心,或者,所述第二光学增强辅助过孔的几何重心与第一过孔的中心在一条直线上。
上述方案中,所述第二光学增强辅助过孔的边界与第一过孔的边界之间设置有间隔或者相接。
上述方案中,所述第二光学增强辅助过孔的部分范围设置在第一过孔内,并且所述第二光学增强辅助过孔至少有一个边长或内径在纬度线或者经度线上的长度小于曝光机的精度。
本发明提供了一种掩模板,通过掩模板上的第一过孔以及第一过孔周围设置的第二光学增强辅助过孔对阵列基板进行掩模曝光,提高了第一过孔的光透过率,能够在不增大光强,并且不影响产能的基础上,实现产品对高分辨率的要求,增大第一过孔的开口率。
附图说明
图1为现有技术的掩模板的结构示意图;
图2为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图3为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图4为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图5为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图6为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图7为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图8为本发明提供的一种掩模板的结构示意图;
图9为现有技术中掩模板的光透过率与光强以及过孔尺寸的曲线图;
图10为一种掩模板的第二光学增强辅助过孔的光透过率与光强以及过孔尺寸的曲线图;
图11为本发明提供的一种掩模板的光透过率与光强以及第一过孔尺寸的曲线图。
附图标记说明:1,第一过孔;2,第二光学增强辅助过孔;3,掩模板;401,第一孔;402,第二孔;403,第三孔;404,第四孔;405,第五孔;406,第六孔;407,第七孔;408,第八孔;409,第九孔;410,第十孔;411,第十一孔;412,第十二孔;4,第一曲线;5,第二曲线;6,第三曲线;7,第四曲线;8,第五曲线;9,第六曲线。
具体实施方式
下面通过附图及具体实施例对本发明做进一步的详细说明。
本发明实施例涉及一种掩模板,如图2所示,该掩模板3包括:透光区域和不透光区域,所述透光区域内设置有第一过孔1,第一过孔1的周围设置有第二光学增强辅助过孔2。
其中,所述第二光学增强辅助过孔2有至少一个时,所述第二光学增强辅助过孔2可以设置在第一过孔1的左侧、右侧、上侧、或下侧。
当所述第二光学增强辅助过孔2有两个及两个以上时,各第二光学增强辅助过孔2可以对称设置在第一过孔1的周围,每个第二光学增强辅助过孔2的几何重心与第一过孔1的中心在一条直线上。
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