[发明专利]离子发生器

说明书

技术领域

本发明涉及一种离子发生器，该离子发生器通过向电极施加电压而在电极附近产生离子。

背景技术

日本平开专利公报No.10-064691，日本平开专利公报No.2000-058290，以及日本平开专利公报No.2007-066770，公开了以下技术：通过向电极施加高电压而在电极附近产生离子，并向要被中和的物体释放产生的离子，从而为该物体充电的静电荷被移除并且该物体得到中和。

更具体地，日本平开专利公报No.10-064691公开了，通过高频振荡电路产生的高频高电压提供给两个二倍压整流电路。一个电阻器向一个电极施加由一个二倍压整流电路整流的正直流高电压，通过另一个电阻器向另一个电极施加由另一个二倍压整流电路整流的负直流高电压。

进一步，日本平开专利公报No.2000-058290公开了以下技术：由正高电压产生电路和电阻器组成的串联电路，和由负高电压产生电路和电阻器组成的串联电路相对于单个电极并联连接。在这种情况下，通过交替操作正高电压产生电路和负高电压产生电路，正极性直流电压和负极性直流电压被交替地产生并施加到电极。

更进一步，日本平开专利公报No.2007-066770公开了以下技术：由正高电压发生器和半导体切换开关组成的串联电路，和由负高电压产生电路和半导体切换开关组成的串联电路相对于单个电极并联连接。同样在这种情况下，通过交替操作正高电压发生器和半导体切换开关和负高电压发生器和半导体切换开关，正极性直流电压和负极性直流电压被交替产生并施加到电极。

另一方面，日本平开专利公报No.10-108480公开了一种高电压开关电路，其能够被应用到离子发生器。高电压开关电路由正极性直流电压源和负极性直流电压源与四个半导体切换元件一起组成。在这种情况下，通过控制各个半导体切换元件的打开和闭合时间，正极性直流电压和负极性直流电压交替地作用到负载。

发明内容

然而，采用日本平开专利公报No.2000-058290的离子发生器，两个电阻器相对于电极并联连接。所以，如果通过直流高压产生电路和电阻器的其中一个向电极施加直流电压，存在以下可能，流经一个电阻器的部分电流将经由另一个电阻器流进另一个直流高压产生电路。因此，实际向电极施加的电压值减小，低于由一个直流高压产生电路产生的直流电压。例如，假定两个电阻器具有相同阻抗值，则向电极施加的电压值为直流电压值的一半。因此，在电极附近产生离子的效率显著下降，相对于为要被中和的物体充电的电荷，离子发生器的电荷移除能力显著下降。

对于这类问题，可以考虑补充或补偿向电极施加的电压值的下降，从而通过增大由一个直流高压产生电路产生的直流电压的电压值来保证电荷移除能力。然而，当直流电压值上升时，由流入两个电阻器的各个电流引起的发热（焦耳热）的量增大，容纳直流高压产生电路的离子发生器的壳体的温度也不利地升高。

相同的问题也发生在通过另一个直流高压产生电路和电阻器向电极施加直流电压的情况。

顺便说一下，可以考虑借助于没有采用电阻器的构造来克服上述问题，如日本平开专利公报No.2007-066770的离子发生器。

然而，日本平开专利公报No.2000-058290的电阻器作为限流保护电阻器，其起到保护直流高压产生电路的目的。为此，如果没有设置这种保护电阻器，不能适当地保护直流高压产生电路。

进一步，对于日本平开专利公报No.2000-058290和日本平开专利公报No.2007-066770公开的技术，通过交替运行一个直流高压产生电路（和半导体切换元件）和另一个直流高压产生电路（和半导体切换元件），正极性直流电压和负极性直流电压交替地施加到单个电极。为此，当向电极提供直流电压的直流高压产生电路切换时，或更具体地，当一个直流高压产生电路（和半导体切换元件被打开）启动运行同时另一个直流高压产生电路（和半导体切换元件被闭合）中止运行时，因为电阻器和杂散电容或由直流高压产生电路和线路电阻的电容器，启动运行的一个直流高压产生电路起动运行需要的时间，和停止运行的另一个直流高压产生电路断开需要的时间，两个都被延迟。因此，向电极施加电压以达到产生离子所需的电压值需要的时间被推迟，并且出乎意料地，电荷移除能力降低。

此外，即使在一个直流高压产生电路的运行中止同时另一个直流高压产生电路启动运行的情况下，相同的问题也可能发生。