[发明专利]外流式电磁流量计励磁电路及励磁方法无效
申请号: | 201310367866.1 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103438944A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 吕实诚;刘涛 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理大晟源科技开发有限公司 |
主分类号: | G01F1/60 | 分类号: | G01F1/60 |
代理公司: | 哈尔滨东方专利事务所 23118 | 代理人: | 陈晓光 |
地址: | 150040 黑龙江省*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 外流 电磁流量计 磁电 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及一种外流式电磁流量计励磁电路及励磁方法。
背景技术:
电磁流量计采用不同的励磁方式,抗干扰能力和零点稳定性也有不同的效果。受到微电子技术和计算机技术快速发展的影响,励磁技术也经历由直流励磁、交流励磁到低频矩形波励磁、双频励磁等几个阶段。电磁流量计的信号频率都比较低,并且信号频率通常不会发生改变。所以我们根据励磁频率,将信号转换器设计为低频放大器,能够很好地抵御高频噪声干扰,继而提高流速信号信噪比。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种外流式电磁流量计励磁电路及励磁方法。
本发明的目的是这样实现的:
一种外流式电磁流量计励磁电路,其组成包括:H桥驱动电路,所述的H桥电路接入到外围电路中,所述的H桥电路连接有三极管Q303、三极管Q301、三极管Q304、三极管Q302、插针槽,所述的外围电路连接有光耦合器U1、光耦合器U2。
所述的外流式电磁流量计励磁电路,所述的H桥驱动电路的三极管Q303的集电极与R315、 Q301的集电极、J1插针槽的插槽1相连,所述的R315与C300相连,所述的C300与Q304的集电极、Q302 的集电极、J1插针槽的插槽2相连。
所述的外流式电磁流量计励磁电路,所述的外围电路的R305与光耦合器U1的2引脚相连,所述的光耦合器U1的1引脚与电源V1正极相连,所述的光耦合器U1的4引脚与R308、R309、R307相连,所述的光耦合器U1的3引脚与三极管Q301的发射极、Q302的发射极、光耦合器U2的3引脚、地线相连,所述的R308与电源V2正极、R310、Q303的发射极、Q304的发射极、R311、R313相连,所述的R310与R309、Q303的基极相连,所述的R311与R314、Q304的基极相连,所述的R313与R314、R312光耦合器U2的4引脚相连,所述的光耦合器U2的1引脚与电源V1正极相连,所述的光耦合器U2的2引脚与R306相连,所述的R306的另一端接收信号输入。
所述的外流式电磁流量计励磁电路所进行的励磁方法,励磁驱动采用H桥电路;H桥电路形状酷似字母H,4个三极管组成H的4条垂直腿, H中的横杠就是励磁线圈;要使得励磁线圈正常工作就必须导通对角线上的一对三极管,根据不同三极管对的导通情况,电流会从左至右或从右至左流过励磁线圈,产生正负交变的磁场,励磁电流的上升沿与下降沿会导致微分干扰和涡流效应的产生;励磁电流步入稳定状态,微分干扰也会随之消失,微分干扰随着励磁频率越低而越小;可是当励磁频率过低时,电磁流量计的响应速度也会降低,而励磁频率过高时,涡轮效应会变大,还会导致微分干扰,影响电磁流量计的零点稳定性;选择低频矩形波的励磁频率为工频的偶数分之一(1/2—1/32);DSP最小系统产生低频率的矩形脉冲控制光电耦合器的通断,由励磁线圈产生所需的低频矩形波励磁磁场。
有益效果:
1.本发明H桥驱动电路具有控制简单,切换迅速,双极性输出等优点,提高了励磁效率。
2.本发明电路结构简单,时序准确,可靠性高。
3.本发明低频矩形波励磁兼具直流励磁技术和交流励磁技术的特性:不易受电磁干扰,没有涡流效应,微分干扰和同相干扰也较小;也没有极化现象,易于放大和处理;另外,从整个时间过程上看又是交变信号,具有良好的零点稳定性和抗干扰能力。
附图说明:
附图1 是本发明的H桥驱动电路。
附图2是与附图1相连的外围电路。
具体实施方式:
实施例1:
一种外流式电磁流量计励磁电路,其组成包括: H桥驱动电路,所述的H桥电路接入到外围电路中,所述的H桥电路连接有三极管Q303、三极管Q301、三极管Q304、三极管Q302、插针槽,所述的外围电路连接有光耦合器U1、光耦合器U2。
实施例2:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理大晟源科技开发有限公司,未经哈尔滨理大晟源科技开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310367866.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。