[发明专利]一种二硫化钼纳米薄片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310367292.8 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104418387A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 江帅;贺蒙;殷雄;李建业 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 薄片 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二硫化钼纳米薄片的制备方法，其特征在于，在惰性气氛中，将硫源与钼源蒸汽接触并进行化学气相沉积，以在衬底上形成竖立的二硫化钼纳米薄片；所述化学气相沉积的反应条件为：反应温度为690～750℃，反应时间为5～60min。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼源为三氧化钼。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述硫源为二硫化碳。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述二硫化碳通过随载气导入的方式加入。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述载气为氩气和/或氮气。
6.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述载气的流动速率为20～250sccm，优选为50～200sccm。
7.如权利要求1-6之一所述的制备方法，其特征在于，所述反应温度为720℃。
8.如权利要求1-7之一所述的制备方法，其特征在于，所述反应时间为30min。
9.如权利要求1-8之一所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为石墨箔或硅片。
10.一种由权利要求1-9中任一项所述的方法制得竖立的二硫化钼纳米薄片，其特征在于，所述二硫化钼纳米薄片的形貌特殊、尺寸均匀、绝大部分为单层，并且能实现大面积均匀生长；其大小在0.3～2μm，厚度<1nm。
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