[发明专利]电池监视系统以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201310301982.3 申请日: 2013-07-18
公开(公告)号: CN103568859B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 杉村直昭 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: B60L11/18 分类号: B60L11/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 闫小龙,李浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电池 监视 系统 以及 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电池监视系统以及半导体装置,特别涉及串联连接的多个电池电压监视用的电池监视系统以及半导体装置。

背景技术

一般地,作为混合动力汽车或电动汽车的马达驱动等中所使用的大容量、高输出蓄电池,使用多个电池(电池单元)串联连接的蓄电池(作为具体的一例,举出锂离子蓄电池等)。公知用于对该蓄电池的电池的电压进行监视控制的电池监视系统。

作为这样的以往的电池监视系统,公知如下的系统:多个串联连接的电池的最上位电位(最高位的电位)作为电池监视用电路(电池测定用电路)所具备的半导体装置的内部电路的驱动电源被供给到该半导体装置。例如,在专利文献1中记载了如下的电池系统:具备电池单元控制器,该电池单元控制器将经由VCC端子供给的电池单元的最上位电位的电压使用于内部电路的驱动等。在专利文献1所记载的电池系统的电池单元控制器中,利用主恒压源(调节器)将所供给的电池单元的最上位电位的电压变换为在内部电路的驱动等中使用的电压。

但是,作为防止半导体装置的内部电路的静电放电所造成的破坏的技术,公知设置静电保护电路的技术。例如,在专利文献2中记载了如下技术:在半导体装置中,利用ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)保护二极管将静电放电等引起的高压噪声向电源端子放电。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2010-16928号公报;

专利文献2日本特开2011-96897号公报。

在电池监视系统的半导体装置中,希望防止静电放电造成的破坏的技术。因此,本发明人考虑并研究了在电池监视系统(参考上述专利文献1)的半导体装置中设置上述专利文献2所述的静电保护电路。但是,本发明人的研究结果是,得知存在产生不良的情况。在图5中示出本发明人进行了研究的具有这样的静电保护电路的电池监视系统。

在图5所示的电池监视系统100中,多个电池单元C(C1~Cn)串联连接的电池单元组112和半导体装置120经由低通滤波器LPF(LPF1~LPFn、LPFvcc)而连接。在单元电压测定电路122中具备电流驱动型的电路,该电流驱动型的电路包括将所供给的电源电压Vcc变换为驱动电压的调节器以及利用被调节器变换后的驱动电压进行驱动的内部处理电路等。

半导体装置120的电源端子Vcc经由低通滤波器LPFvcc与连接于电池单元组112的最上位的电池单元Cn的高电位侧的单元输入信号线Ln连接,经由单元输入信号线Ln向半导体装置120(电源端子Vcc)供给电源电压Vcc。另一方面,半导体装置120的电源端子Vss与连接于电池单元组112的最下位的电池单元C1的低电位侧的单元输入信号线L0连接。与电源端子Vcc连接的电源线Vcc和与电源端子Vss连接的电源线Vss连接于电源间ESD保护电路124。

此外,半导体装置120的单元输入端子V(V1~Vn)分别经由同等的低通滤波器LPF(LPF1~LPFn)与连接于各电池单元的高电位侧的单元输入信号线L(L1~Ln)连接。各单元输入端子V(V1~Vn)利用连接有ESD保护二极管ESD(ESD1~ESDn)的单元输入信号线L(L1~Ln)与单元电压测定电路122连接。

低通滤波器LPF(LPF1~LPFn)具有将在所输入的单元电压中混合存在的干扰噪声除去的功能。此外,低通滤波器LPFvcc具有用于不在电源端子Vcc和单元输入端子V(V1~Vn)之间产生通过低通滤波器LPF时的相位差造成的电位差的功能,具有与低通滤波器LPF(LPF1~LPFn)相同的特性。

ESD保护二极管ESD(ESD1~ESDn)具有使静电放电等造成的高压噪声向电源端子Vcc或者电源端子Vss(电源间ESD保护电路124)放电的功能。

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