[发明专利]用于pH敏感应用的金属镀覆

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

a)提供包括正面侧、金属化背面侧以及PN结的半导体，所述正面侧包括具有烧结的金属浆料的导电轨迹图案；

b)在所述导电轨迹上沉积阻挡层；

c)使所述半导体接触铜镀浴，所述铜镀浴包括一种或多种铜离子源、一种或多种氯化物离子和溴化物离子源、一种或多种硝酸盐离子、硫酸盐离子和硫酸氢盐离子源以及1.5-4的pH；以及

d)邻近所述导电轨迹的所述烧结的金属浆料的所述阻挡层镀覆铜层。

2.权利要求1的方法，进一步包括从具有2或更大的pH的源邻近所述铜层沉积金属层。

3.权利要求2的方法，其中所述金属层为选择自银和锡的金属。

4.权利要求1的方法，其中所述氯化物、溴化物或氯化物和溴化物的混合物的离子范围从1-100ppm。

5.权利要求1的方法，其中所述阻挡层为选自镍、钨和钛的金属。

6.权利要求1的方法，进一步包括从具有2或更大的pH的溶液邻近所述铜层沉积有机可焊性防腐剂。

7.一种组合物，所述组合物包括一种或多种铜离子源、一种或多种氯化物离子和溴化物离子源、一种或多种硝酸盐离子、硫酸盐离子和硫酸氢盐离子源以及1.5-4的pH。

8.权利要求7的组合物，其中所述一种或多种硝酸盐离子源选自碱金属硝酸盐。

9.权利要求8的组合物，其中所述一种或多种硝酸盐离子源范围从5-100g/L。

10.权利要求7的组合物，其中氯化物、溴化物或氯化物和溴化物的混合物的离子范围从1-100ppm。