[发明专利]一种中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310296870.3 申请日: 2013-07-16
公开(公告)号: CN103420629A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 唐华明 申请(专利权)人: 苏州华东镀膜玻璃有限公司
主分类号: C03C27/10 分类号: C03C27/10;C03C17/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215011 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 中空 辐射 镀膜 玻璃 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镀膜玻璃的制备方法,尤其涉及一种中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法。

背景技术

低透射率镀膜(Low-E)玻璃是在浮法玻璃基片表面上镀上纯银膜层,以降低玻璃辐射率阻隔红外热辐射。根据不同的使用需要,在银膜层的两侧面分别镀制适当的保护层和匹配层,使其具有所需求的可见光透过率,以保持必要的室内光线照度,同时兼顾且降低太阳光谱中的红外线辐射进入室内以降低室内的热负荷,并较好的防止过量紫外线辐射进入室内。由于离线low-e玻璃的膜层非常软(功能层为银层,银极易被空气中的硫化物氧化),而且为了中空玻璃密封胶与Low-E玻璃粘结强度的提高,所以合成中空前,将四周的膜层除掉。

目前Low-e节能镀膜玻璃及其加工方法是2005年左右从国外引进的,加工过程的low-e玻璃边部除膜常规方法有两种(自动除膜法和手动干式除膜法),而其中一种目前在国内使用率最大的是手工干式除膜法。这种方法不需要很复杂的设备,操作简单,可视性强,操作中容易及时发现问题加以纠正。但是,在现有干式除膜过程中容易产生高温,使除膜轮材料中的粘结物质焦化并粘结在除膜部位,导致中空玻璃密封胶和玻璃粘结不牢,会产生玻璃脱落的严重质量问题,进而出现安全事故,而且此种方法中由于离线low-e玻璃的膜层非常软(功能层为银层,银极易被空气中的硫化物氧化),那么空气中的水分会通过玻璃的边部向中空内层渗透,使中空内部氧化、变花。因为中空玻璃的密封胶,其水密性性能比较佳,但其气密性能较弱,无法阻隔气体侵蚀。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法,能够改善中空玻璃密封胶与低透射率镀膜玻璃粘结的强度,提高粘结牢固度,并且能够有效隔离空气中硫化物,确保膜层不被氧化。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法,包括如下步骤:a)首先在玻璃基片上进行镀膜;b)接着准备好棉布和清水,把棉布蘸上清水后抹涂玻璃上的除膜部位,湿润后用手动除膜机进行除膜操作;c)然后把除膜后的玻璃经过清洗、上框和合片工序,制成中空玻璃;d)最后用玻璃密封胶对中空玻璃进行打胶。

上述的中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法,其中,所述步骤a)的镀膜过程如下:采用真空磁控溅射镀膜方法在玻璃基片上依次溅镀第一四氮化三硅膜层、第一镍铬膜层、银膜层、第二镍铬膜层和第二四氮化三硅膜层。

上述的中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法,其中,所述第二镍铬膜层和第二四氮化三硅膜层之间还溅镀有氧化锌膜层。

本发明对比现有技术有如下的有益效果:本发明提供的中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法,减少了在手动除膜中产生的高温,避免膜层材料中的粘结物质焦化并粘结在除膜部位,能够改善中空玻璃密封胶与低透射率镀膜玻璃粘结的强度,提高粘结牢固度,并且能够有效隔离空气中硫化物,确保膜层不被氧化。

附图说明

图1为本发明低辐射率镀膜玻璃的制备流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。

图1为本发明低辐射率镀膜玻璃的制备流程示意图。

请参见图1,本发明提供的中空低辐射率镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤:

步骤S1:首先在玻璃基片上进行镀膜;所述镀膜过程如下:采用真空磁控溅射镀膜方法在玻璃基片上依次溅镀第一四氮化三硅膜层、第一镍铬膜层、银膜层、第二镍铬膜层和第二四氮化三硅膜层,此膜系透射率一般在40%,对可见光的反射率约为30%左右。为了降低可见光的反射率,并且增强室内采光效果,所述第二镍铬膜层和第二四氮化三硅膜层之间还可溅镀有氧化锌膜层,通过增加一层氧化锌膜层,可以降低可见光的反射率,减少光污染,并且增强室内采光效果。

步骤S2:接着准备好棉布和清水,把棉布蘸上清水后在玻璃需要除膜的部位抹一遍,湿润后用手动除膜机进行除膜操作;

步骤S3:然后把除好膜的玻璃经过清洗、上框和合片工序,制成中空玻璃;

步骤S4:最后用玻璃密封胶对中空玻璃进行打胶。经过上述方法制成的中空玻璃,密封胶与low-e的附着力大大增强,且也有效将空气中硫化物进行隔离,确保膜层不被氧化。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

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