[发明专利]受光元件

权利要求书

1.一种受光元件，其特征在于，具备：

衬底，包含III-V族半导体；

受光层，设置在上述衬底上；

扩散浓度分布调整层，与上述受光层邻接而设置，包含III-V族半导体；及

窗层，与上述扩散浓度分布调整层邻接而设置，具有大于上述扩散浓度分布调整层的带隙能，包含III-V族半导体，

上述受光层设置在上述衬底与上述扩散浓度分布调整层之间，

上述扩散浓度分布调整层设置在上述受光层与上述窗层之间，

包含上述窗层及上述扩散浓度分布调整层的半导体区域包含沿着与上述受光层的接合面依次配置的第一及第二区域，

上述第一区域含有规定的杂质元素且与上述第二区域邻接，

上述第一区域的导电型为p型，

自上述窗层与上述扩散浓度分布调整层的接合面在上述第二区域中朝上述窗层内或上述扩散浓度分布调整层内延伸的规定区域内的n型载体浓度的最大值在5×10¹⁵cm^-3以上、1×10¹⁹cm^-3以下的范围内。

2.根据权利要求1所述的受光元件，其特征在于，

上述规定区域内的n型载体浓度的最大值大于位于上述窗层内或上述扩散浓度分布调整层内的、与上述规定区域邻接的其它区域内的n型载体浓度的最大值。

3.根据权利要求1或2所述的受光元件，其特征在于，

上述规定区域的厚度为0.02μm以上、0.2μm以下。

4.根据权利要求3所述的受光元件，其特征在于，

上述施体为Si。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的受光元件，其特征在于，

上述杂质元素为Zn。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的受光元件，其特征在于，

上述扩散浓度分布调整层包含InGaAs。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的受光元件，其特征在于，

上述窗层包含InP。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的受光元件，其特征在于，

上述受光层为第二型多量子阱构造。

9.根据权利要求8所述的受光元件，其特征在于，

上述多量子阱构造包含In_xGa_1-xAs(0.38≤x≤0.68)与GaAs_1-ySb_y(0.36≤y≤0.62)的对、或Ga_1-tIn_tN_uAs_1-u(0.4≤t≤0.8、0＜u≤0.2)与GaAs_1-vSb_v(0.36≤v≤0.62)的对。